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HAT2168H-EL-E
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HAT2168H-EL-E

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  • 产åå称ï1/4Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
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HAT2168H-EL-ESilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

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PSB2168HV2.4 Infineon01+QFP-80På ̈æ°åè£ ç°è'§ç°è'§
PSB2168HV4.1 InfineonO3QFP-80På ̈æ°åè£ ç°è'§ç°è'§
HAT2168H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2168H RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0091]; RDS (ON) typ. (Ohm) @

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

RENESASåç产åæ ̈è


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HAT2170H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2171H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2279H-EL-E RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 80; Kennung (A): 30; Pch : 25; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0095; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,011]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2284H-EL-E RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0034; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,005]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2137H RENESAS10+TO-252MOSFET, schaltend; VDSS (V): 40; Kennung (A): 45; Pch : 30; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 3,8; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V: -;
HAT2170H RENESAS10+LFPKASilizium-N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltung
HAT2171H RENESAS10+LFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2284H RENESAS10+LFPKAMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0034; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,005]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2116H RENESAS10+TO252-4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0105]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2143H RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2168H RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0091]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2168N RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0091]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2169H RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2197WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0049; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0064]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2198WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 25; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0068; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0092]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2199WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 15; Pch : 10; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0125; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0165]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2173H RENESAS10+LFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2173H-EL-E RENESAS10+LFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2244WP RENESAS10+QFN-8Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2279H RENESAS10+LFPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 80; Kennung (A): 30; Pch : 25; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0095; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,011]; RDS (ON) typ. (Ohm) @

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