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HAT2170H-EL-E
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HAT2170H-EL-E

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HAT2170H-EL-ESilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

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PSB2170HV1.1 InfineonO3QFP-80På ̈æ°åè£ ç°è'§ç°è'§
HAT2170H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2170H RENESAS10+LFPKASilizium-N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltung

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207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM

RENESASåç产åæ ̈è


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HAT2171H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2279H-EL-E RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 80; Kennung (A): 30; Pch : 25; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0095; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,011]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2284H-EL-E RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0034; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,005]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2137H RENESAS10+TO-252MOSFET, schaltend; VDSS (V): 40; Kennung (A): 45; Pch : 30; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 3,8; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V: -;
HAT2170H RENESAS10+LFPKASilizium-N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltung
HAT2171H RENESAS10+LFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2284H RENESAS10+LFPKAMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0034; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,005]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2116H RENESAS10+TO252-4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0105]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2143H RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2168H RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0091]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2168N RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0091]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2169H RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2197WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0049; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0064]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2198WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 25; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0068; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0092]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2199WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 15; Pch : 10; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0125; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0165]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2173H RENESAS10+LFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2173H-EL-E RENESAS10+LFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2244WP RENESAS10+QFN-8Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2279H RENESAS10+LFPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 80; Kennung (A): 30; Pch : 25; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0095; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,011]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2140H RENESAS10+LFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

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