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HAT2116H-EL-E
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HAT2116H-EL-E

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HAT2116H-EL-ESilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

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HAT2116H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2116H RENESAS10+TO252-4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0105]; RDS (ON) typ. (Ohm)

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

RENESASåç产åæ ̈è


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HAT2137H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2143H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2168H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2170H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2171H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2279H-EL-E RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 80; Kennung (A): 30; Pch : 25; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0095; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,011]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2284H-EL-E RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0034; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,005]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2137H RENESAS10+TO-252MOSFET, schaltend; VDSS (V): 40; Kennung (A): 45; Pch : 30; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 3,8; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5V: -;
HAT2170H RENESAS10+LFPKASilizium-N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltung
HAT2171H RENESAS10+LFPKASilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2284H RENESAS10+LFPKAMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 55; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0034; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,005]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2116H RENESAS10+TO252-4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0105]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2143H RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2168H RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0091]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2168N RENESAS10+LEPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0063; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0091]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2169H RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2197WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0049; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0064]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2198WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 25; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0068; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0092]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2199WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 15; Pch : 10; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0125; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0165]; RDS (ON) typ. (Ohm)
HAT2173H RENESAS10+LFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

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