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SLA24C02D
| Infineon | 9750 | DIP-8P | åè£ ç°è'§ |
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SLA24C04D3
| Infineon | 97+ | DIP-8P | åè£ ç°è'§ |
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TCA785
| INFINEON | 2011+ | DIP-16 | ç ̧ä1/2æ§å¶éæçμè· ̄ |
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BSP125
| INFINEON | 11+ | SOT-223 | SIPMOSå°ä¿¡å·æ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4ï1/4 |
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IPB070N06LG
| INFINEON | 10+ | TO-263 | MOSFET N-CH 60V 80A BIS-263 |
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IRF6217PBF
| INFINEON | 2010+ | SOP-8 | Nééåºæåºç®¡ SMPS MOSFET HEXFETã¢Power MOSFET |
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IRFU6215PBF
| INFINEON | 2010+ | TO-251 | Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET |
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IRFR6215TRLPBF
| INFINEON | 2010+ | TO-252 | 150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRFR6215PBF
| INFINEON | 2010+ | TO-252 | 150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRFR6215CTRLPBF
| INFINEON | 2010+ | TO-260 | 150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRFR6215CPBF
| INFINEON | 2010+ | TO-260 | 150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRF6215L-103PBF
| INFINEON | 2010+ | TO-261 | 150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRF6215LPBF
| INFINEON | 2010+ | TO-263 | 150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRF6215STRLPBF
| INFINEON | 2010+ | TO-263 | 150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRF6215SPBF
| INFINEON | 2010+ | TO-263 | HEXFET® POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ã , ID=-13A ) |
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BSO303P
| INFINEON | 2010+ | SOP-8 | Nééåºæåºç®¡ P-Kanal MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 32,0 mOhm; R |
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BSO303SP
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 31,0 |
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BSC110N06NS3
| INFINEON | 11+ | TDSON-8 | Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m |
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BSO301SP
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m |
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BSO080P03S
| INFINEON | 11+ | SOP-8 | Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD |