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IPD530N15N3G |
INFINEON |
12+ |
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IR2117STRPBF |
IR |
2010+ |
Einzelner High-Side-Treiber, nicht invertierender Eingang in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2117 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
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IPB027N10N3 |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V |
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IRF8010PBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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SPW35N60C3 |
Infineon |
13+ |
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SPW47N60C3 |
INFINEON |
13+ |
N-Kanal-MOSFETs (>500 V â 900 V); Gehäuse: PG-TO247-3; VDS (max): 600,0 V; Gehäuse: TO-247; RDS(ON) @ TJ=25°C VGS=10: 70,0 mOhm; ID(max) @ TC=25°C: 47,0 |
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HGTG40N60A4 |
FAIRCHILD |
13+ |
40A\600Vå¿«æ¢å¤äºæ管 |
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EMFA0P02J |
EMC |
13+ |
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IR2113S |
IOR |
12+ |
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IRF740B |
Fairchild |
12+ |
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IRFP250N |
IR |
09+/10+ |
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IRF2804S-7PTRRPBF |
IR |
10+11+ |
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IRF9540NS |
IR |
12+ |
åºæåºç®¡å ̈æ°åè£ |
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IRFR014TRPBF |
IR |
10+ |
N-Kanal Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º60Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.14Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.2Aï1/4) |
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IRF540NSTRR |
IR |
01+ |
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IXFX24N100Q3 |
IXYS |
12+ |
é«åMOSåºæåºç®¡ |
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IRF540NPBF |
IR |
12+ |
å ̈æ°åè£ åºæåºç®¡ |
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SKM145GB123D |
西é ̈康 |
12+ |
IGBTæ ̈¡å å ̈æ°åè£ |
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APM1110NU |
ANPEC |
11+ |
å¢å1/4ºåMOS管 |
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BF92N60 |
BYD |
12+ |
åºæåºMOS管 |
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