| éæ© | ç1/4©ç¥å3/4 | ç1/4å· | å¶é å | æ¹å· | è ̄'æ | èμæ | åºå | è ̄¢ä»· |
|---|
|
 |
IRF7413ZTRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7413Z mit Tape-and-Reel-Verpackung |
 |
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7413ZPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7413Z mit Tape-and-Reel-Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7807ZPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF7807Z mit Tape-and-Reel-Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7807ZGTRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF7807Z mit Tape-and-Reel-Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7807ZGPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF7807Z mit Tape-and-Reel-Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7822PBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7822TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7822TRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7822TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7811WTRPBF |
IR |
2010+ |
ã¢çHEXFETåçMOSFETç ̈äºDC - DCè1/2¬æ¢å ̈ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7811WPBF |
IR |
2010+ |
ã¢çHEXFETåçMOSFETç ̈äºDC - DCè1/2¬æ¢å ̈ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7809TRPBF |
IR |
2010+ |
N-Channel HEXFET Power MOSFET, ideal für CPU Core DC-DC Wandler (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡,çæ³ç ̈äºCPUæ ̧å¿DC-DCè1/2¬æ¢å ̈) |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7477TRPBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7477PBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7811AVPBF |
IR |
2010+ |
Anwendungsspezifische N-Kanal-MOSFETs |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7807VTRPBF |
IR |
2010+ |
30V FETKY - MOSFET und Schottky Diode in einem SO-8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7807VD2 mit bleifreier Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7807VPBF |
IR |
2010+ |
30V FETKY - MOSFET und Schottky Diode in einem SO-8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7807VD2 mit bleifreier Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7807VD2TRPBF |
IR |
2010+ |
30V FETKY - MOSFET und Schottky Diode in einem SO-8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7807VD2 mit bleifreier Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7807VD2PBF |
IR |
2010+ |
30V FETKY - MOSFET und Schottky Diode in einem SO-8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7807VD2 mit bleifreier Verpackung |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7455PBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7458PBF |
IR |
2010+ |
MOSFETçå1/4å ³çμæº |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRF7809AVPBF |
IR |
2010+ |
Anwendungsspezifische N-Kanal-MOSFETs |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
