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IR2104STRPBF	IR	10+	Halbbrückentreiber, Einzeleingang plus invertierender Abschaltstift, feste Totzeit von 520 ns in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2104 in einem 8-poligen SOIC im Lieferumfang enthalten	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF640NSTRRPBF	IR	10+	200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NSTRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel Right	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF640NSPBF	IR	2010+	200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NS mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
FQA90N15	FSC (englisch)	10+	åºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF5305STRLPBF	IR	2010+	-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5305STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF5305LPBF	IR	10+	HEXFET-Leistungs-MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF5305SPBF	IR	10+	HEXFET-Leistungs-MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF5305STRRPBF	IR	10+	HEXFET-Leistungs-MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF540NSTRLPBF	IR	10+	100V Næ²éåºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7205TRPBF	IR	10+	-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7205TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7205PBF	IR	10+	-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7205TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel	æåºå	è ̄¢ä»·
NTR4003NT1G	AUF	2010+	Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL	æåºå	è ̄¢ä»·
RLF12569-4R2N100	TDK	10+	INDUKTIVITÄT PWR 10UH 20% 12560 SMD	æåºå	è ̄¢ä»·
IXFK98N50P3	IXYS	10+	KAPPE 0.047UF 50V 10% X7R DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22	æåºå	è ̄¢ä»·
AD5024BRUZ	INSERAT	10+	å ̈æ°åè£	æåºå	è ̄¢ä»·
CEF09N7G	MEZ	11+	åºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
STP21NM60ND	ST	10+		æåºå	è ̄¢ä»·
STP12NK60Z	ST	10+		æåºå	è ̄¢ä»·
NTA7002N	AUF	11+	åºæåºMOSç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
SGM9123	SGM	10+		æåºå	è ̄¢ä»·