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IR2117STRPBF
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IR2117STRPBF

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IR2117STRPBF-Einzelner High-Side-Treiber, nicht invertierender Eingang in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2117 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird

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IR2117STRPBF IR2010+SOP-8Einzelner High-Side-Treiber, nicht invertierender Eingang in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2117 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird

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PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈

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IRF7342TRPBF IR2010+SOP-8-55 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7342TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IR2184PBF IR2010+DIP-8Halbbrückentreiber, SoftTurn-On, Einzeleingang plus invertierende Abschaltung, 500 ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2184 in einem bleifreien 8-poligen
IRF7606TRPBF IR2010+MSOP-8.-30 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7606 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRG4BC40SPBF IR2010+TO-220ABç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçæ åé度 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Standard-Speed-IGBT
IRF7809AVTRPBF IR2010+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7809AVTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRLR3410TRLPBF IR2010+D-pak100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR3410TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7507TRPBF IR2010+MSOP-820V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7507 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IR2175SPBF IR2010+SOIC-8线æ§çμæμæåºéæçμè· ̄LINEARER STROMMESS-IC
IRF1404STRRPBF IR2010+TO-26340-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF1404STRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel rechts
IRFZ44NSTRLPBF IR2010+TO-26355-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFZ44NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF6617TR1PBF IR2010+LCCEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktive
IRF7316TRPBF IR2010+SOP-8.-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7316TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF9530NPBF IR2010+TO-220-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung.
IRF8721TRPBF IR2010+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8721PBF auf Tape and Ree ausgeliefert
IRFP044NPBF IR2010+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IR21592SPBF IR2010+SOP16Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592S mit Le
PVT312PBF IR2010+DIP250V 1 Form A Photovoltaik-Relais in einem 6-poligen DIP-Gehäuse; Ähnlich wie PVT312 mit bleifreier Verpackung
IRF7832PBF IR2010+SOP-8HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRFZ34NSPBF IR2010+TO-263HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRFB4321PBF IR2010+TO-220ABHEXFETâ Leistungs-MOSFET

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