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1N5245B-TR
| VISHAY | 10+ | DO35 | Zener-Diode; Vz Prüfstrom, izt: 8,5 mA; Verlustleistung, Pd: 500 mW; Gehäuse: DO-35; Durchbruchspannung max.: 15 V; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja; Moment |
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BAV70WT1G
| VISHAY | 10+ | SOT323 | Duale Schaltdiode Gemeinsame Kathode |
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CNY17F-3X006
| VISHAY | 10+ | SOP DIP | Optokoppler, Fototransistor-Ausgang, ohne Basisanschluss |
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LL4448-GS08
| VISHAY | 10+ | LL-34 | Schnelle Schaltdioden mit kleinen Signalen |
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BZG03C18TR3
| VISHAY | 10+ | DO-214AC | DIODE, ZENERSPULE 1500; Spannung, Vz:18V; Strom, Test: 25 mA; Gehäusestil: SMA; Anschlusstyp: SMD; Gehäuseform, alternativ: DO-214AC; Strom, Zener: 25 mA |
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1N4937-E3/54
| VISHAY | 10+ | | Schnell schaltender Kunststoffgleichrichter (å¿«éè1/2¬æ¢å¡è¶æ'æμå ̈) |
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BZG03C39TR
| VISHAY | 10+ | DO-214AC | Silizium-Z-Dioden |
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SI6954ADQ-T1-E3
| VISHAY | 10+ | TSSOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:3,1A; Einschaltwiderstand, Rds(Ein):0,075 Ohm; Rds(an) |
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SFH618A-5
| VISHAY | 10+ | DIP-4 | Fototransistor, 5,3 kV TRIOS Optokoppler mit Niederstromeingang |
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Nr. S07G-GS08
| VISHAY | 10+ | SOD123 | Kleine oberflächenmontierbare Dioden |
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BZD27C5V6P-GS08
| VISHAY | 10+ | SOD123 | Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation |
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SI9410BDY-T1-E3
| Vishay | 10+ | SOP8 | MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(ein) Test V |
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SI4442DY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:22A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):4,5 mOhm; Rds(ein) Test V |
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BAR64V-02V
| VISHAY | 03+ | SOD523 | |
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SI3585DV-T1-E3
| VISHAY | 10+ | TSOP-6 | MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an) |
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BZD27C39P-GS08
| VISHAY | 10+ | SOT-123 | Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation |
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SI4463BDY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen |
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SI4840DY-T1-E3
| VISHAY | 10+ | SOP-8 | MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol |
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SI6433BDQ-T1-E3
| VISHAY | 10+ | TSSOP8 (Englisch) | 20V P-Kanal PowerTrench MOSFET |
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IRFB20N50KPBF
| VISHAY | 10+ | TO-220AB | HEXFET-Leistungs-MOSFET |