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Nr. S07G-GS08
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Nr. S07G-GS08

  • æå±ç±»å«ï1/4Åç«å 件Diskrete Komponente
  • 产åå称ï1/4Kleine oberflächenmontierbare Dioden
  • ååï1/4VISHAY
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4SOD123
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  • åºåéï1/4222000
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Nr. S07G-GS08

Kleine oberflächenmontierbare Dioden

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PMBD7000.215 NXP (Englisch)10+PBFREEHochgeschwindigkeits-Doppeldiode (åé«éäºæ管
SFH618A-5 VISHAY10+DIP-4Fototransistor, 5,3 kV TRIOS Optokoppler mit Niederstromeingang
FCX1053ATA ZETEX10+SOT89SOT89 NPN Transistor mittlerer Leistung
MMSZ5230B-7-F åè£ DIODE10+SOD-123500 MW OBERFLÄCHENMONTIERBARE ZENERDIODE
PMBT2222A.215 NXP (Englisch)10+11+NPN-Schalttransistoren
FSB619 FAIRCHILD10+SOP23NPN Low Saturation Transistor(éçμæçμæμè3/43/43AçNPNä1/2饱åçμåæ¶ä1/2管)
BAS70,215 NXP (Englisch)10+BandSchottky-Barriere (doppelt) Dioden (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæ管)
SML-LX1206SUGC-TR LUM10+ LED ALINGAP ULT GRN CLR 1206 SMD
BAR43AFILM ST10+NARundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:55; Serie:MS27467; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe des Steckergehäuses:17; Zirkulärer Kontakt
BZX84C6V2LT1G AUF10+SOT23Zener-Spannungsregler

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JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück

VISHAYåç产åæ ̈è


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BZD27C5V6P-GS08 VISHAY10+SOD123Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
SI9410BDY-T1-E3 Vishay10+SOP8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(ein) Test V
SI4442DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:22A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):4,5 mOhm; Rds(ein) Test V
BAR64V-02V VISHAY03+SOD523 
SI3585DV-T1-E3 VISHAY10+TSOP-6MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an)
BZD27C39P-GS08 VISHAY10+SOT-123Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
SI4463BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen
SI4840DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol
SI6433BDQ-T1-E3 VISHAY10+TSSOP8 (Englisch)20V P-Kanal PowerTrench MOSFET
IRFB20N50KPBF VISHAY10+TO-220ABHEXFET-Leistungs-MOSFET
SI4947ADY-T1-E3 VISHAY10+SOP8Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja; Peak-Reflow-kompatibel (260 °C):Ja RoHS-konform: Ja
SI4410BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay10+TSSOP-820V P-Kanal PowerTrench MOSFET
GL41Y VISHAY11+DO-213ABäºæ管
WSC25151R000FEA VISHAY10+2515 
SI4948BEY VISHAY11+SOP-8åºæåºç®¡
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY11+QFN8Néé12 Vï1/4DSï1/4çMOSFET
SS3P4-E3/84A VISHAY10+PBDO-220AAäºæ管
DG212BDY-T1-E3 VISHAY11+EINTUNKENè1/2¬æ¢è ̄ç
PR03000202208JAC00 VISHAY10+DIPéå±èçμé» 2.2 Ohm 3W +/-5%

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