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SI9410BDY-T1-E3
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SI9410BDY-T1-E3

  • æå±ç±»å«ï1/4Åç«å 件Diskrete Komponente
  • 产åå称ï1/4MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(ein) Test V
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SI9410BDY-T1-E3

MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(Ein) Prüfspannung, Vgs:10V; Gehäuse: SO-8; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja

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SI9410BDY-T1-E3 Vishay10+SOP8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(ein) Test V

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ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)

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SI4442DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:22A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):4,5 mOhm; Rds(ein) Test V
BAR64V-02V VISHAY03+SOD523 
SI3585DV-T1-E3 VISHAY10+TSOP-6MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an)
BZD27C39P-GS08 VISHAY10+SOT-123Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
SI4463BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen
SI4840DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol
SI6433BDQ-T1-E3 VISHAY10+TSSOP8 (Englisch)20V P-Kanal PowerTrench MOSFET
IRFB20N50KPBF VISHAY10+TO-220ABHEXFET-Leistungs-MOSFET
SI4947ADY-T1-E3 VISHAY10+SOP8Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja; Peak-Reflow-kompatibel (260 °C):Ja RoHS-konform: Ja
SI4410BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay10+TSSOP-820V P-Kanal PowerTrench MOSFET
GL41Y VISHAY11+DO-213ABäºæ管
WSC25151R000FEA VISHAY10+2515 
SI4948BEY VISHAY11+SOP-8åºæåºç®¡
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY11+QFN8Néé12 Vï1/4DSï1/4çMOSFET
SS3P4-E3/84A VISHAY10+PBDO-220AAäºæ管
DG212BDY-T1-E3 VISHAY11+EINTUNKENè1/2¬æ¢è ̄ç
PR03000202208JAC00 VISHAY10+DIPéå±èçμé» 2.2 Ohm 3W +/-5%
Artikel-Nr.: 50N024-09 VISHAY10+TO-252åºæåºç®¡
1,5 KE62 A VISHAY10+DO-201ADäºæ管

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