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LL4448-GS08
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LL4448-GS08

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  • 产åå称ï1/4Schnelle Schaltdioden mit kleinen Signalen
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LL4448-GS08

Schnelle Schaltdioden mit kleinen Signalen

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PMLL4448.115 NXP (Englisch)12+N/Açμåå å ̈件
1N4448,113 NXP (Englisch)12+N/Açμåå å ̈件
1N4448TR FAIRCHILD10+DO35Schnelle Diode mit hoher Leitfähigkeit; Paket: DO-35; Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
MMBD4448HTW-7-F DIODEN10+SOT163OBERFLÄCHENMONTIERBARES DIODENARRAY MIT SCHNELLEM SCHALTEN
LL4448-GS08 VISHAY10+LL-34Schnelle Schaltdioden mit kleinen Signalen
MMBD4448W é¿çμ07+SOT-323è''ç
MMBD4448HSDW é¿çμ07+SOT363å ̈æ°åè£
MSP4448GA2 MICRONAS00+02+03+QFP80å ̈æ°åè£
Artikel-Nr.: 2SC4448 Toshiba05+Nï1/4ANï1/4A
RLS4448 ROHM05+SOD-80ä ̧æ管

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RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)

VISHAYåç产åæ ̈è


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BZG03C18TR3 VISHAY10+DO-214ACDIODE, ZENERSPULE 1500; Spannung, Vz:18V; Strom, Test: 25 mA; Gehäusestil: SMA; Anschlusstyp: SMD; Gehäuseform, alternativ: DO-214AC; Strom, Zener: 25 mA
1N4937-E3/54 VISHAY10+ Schnell schaltender Kunststoffgleichrichter (å¿«éè1/2¬æ¢å¡è¶æ'æμå ̈)
BZG03C39TR VISHAY10+DO-214ACSilizium-Z-Dioden
SI6954ADQ-T1-E3 VISHAY10+TSSOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:3,1A; Einschaltwiderstand, Rds(Ein):0,075 Ohm; Rds(an)
SFH618A-5 VISHAY10+DIP-4Fototransistor, 5,3 kV TRIOS Optokoppler mit Niederstromeingang
Nr. S07G-GS08 VISHAY10+SOD123Kleine oberflächenmontierbare Dioden
BZD27C5V6P-GS08 VISHAY10+SOD123Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
SI9410BDY-T1-E3 Vishay10+SOP8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:8,1A; Einschaltwiderstand, Rds(on):24mohm; Rds(ein) Test V
SI4442DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Abflussstrom, Id:22A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):4,5 mOhm; Rds(ein) Test V
BAR64V-02V VISHAY03+SOD523 
SI3585DV-T1-E3 VISHAY10+TSOP-6MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an)
BZD27C39P-GS08 VISHAY10+SOT-123Zenerdioden mit Stoßstromspezifikation
SI4463BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:10A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,014ohm; Gehäuse:8-SOIC; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen
SI4840DY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 40 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:14A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):9mohm; Rds(on) Test Vol
SI6433BDQ-T1-E3 VISHAY10+TSSOP8 (Englisch)20V P-Kanal PowerTrench MOSFET
IRFB20N50KPBF VISHAY10+TO-220ABHEXFET-Leistungs-MOSFET
SI4947ADY-T1-E3 VISHAY10+SOP8Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja; Peak-Reflow-kompatibel (260 °C):Ja RoHS-konform: Ja
SI4410BDY-T1-E3 VISHAY10+SOP-8N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay10+TSSOP-820V P-Kanal PowerTrench MOSFET
GL41Y VISHAY11+DO-213ABäºæ管

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