| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BZV55-B5V1,115
| NXP (Englisch) | 10+ | | Dioden für Spannungsregler |
|
BZX79-C5V1.133
| NXP (Englisch) | 10+ | SOD27 | Dioden für Spannungsregler |
|
BAS35,215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT23 | NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管 |
|
BCX70K,215
| NXP (Englisch) | 10+ | | NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管) |
|
BAT54.215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT23-3 | Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管) |
|
1N4148,113
| NXP (Englisch) | 10+ | DO35 | Epitaktische planare Siliziumdioden |
|
BAV23,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Allzweck-Doppeldiode(åéç ̈äºæ管) |
|
BC847BS.115
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-23 | NPN Allzweck-Doppeltransistor(NPNéç ̈ååæ¶ä1/2管) |
|
BZV55-C8V2,115
| NXP (Englisch) | 10+ | PBFREE | Dioden für Spannungsregler |
|
PMBD7000.215
| NXP (Englisch) | 10+ | PBFREE | Hochgeschwindigkeits-Doppeldiode (åé«éäºæ管 |
|
PMBT2222A.215
| NXP (Englisch) | 10+ | 11+ | NPN-Schalttransistoren |
|
BAS70,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Schottky-Barriere (doppelt) Dioden (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæ管) |
|
BAS21.215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-23 | Allzweck-Dioden(éç ̈äºæ管) |
|
BC847B,215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-223 | NPN-Allzweck-Transistor |
|
BAS316,115
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管) |
|
BC857B,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | PNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2管) |
|
BC817-40.215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT23 | NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4大å ̈) |
|
PH4830L.115
| NXP (Englisch) | 10+ | Standardpac | N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein):[email protected]V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V |
|
869.115 BC
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT89 | PNP Transistor mittlerer Leistung(PNPä ̧çåçæ¶ä1/2管) |
|
BAV99S,115
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden; Gehäuse: PG-SOT363-6; Konfiguration: Vierfach; VR (max): 80,0 V; WENN (max): 200,0 mA; IR (max): 150,0 nA; TRR (max): 4,0 |