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BAS35,215
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BAS35,215

  • æå±ç±»å«ï1/4Åç«å 件Diskrete Komponente
  • 产åå称ï1/4NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管
  • ååï1/4NXP (Englisch)
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BAS35,215

NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管

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TMMBAT42FILM  10+LEDSML-LXT0805GW-TR
SML-LXT0805GW-TR LUM10+ Farbe: Grün; Linsenfarbe: Weiß; Lichtstärke (MSCP):11; Betrachtungswinkel:140; Durchlassstrom: 30 mA; Durchlassspannung: 2,2 V; LED-Farbe: Grün; Bleihaltiges Pr
1N4148W-V-GS18 KRAFT10+ GLEICHRICHTERDIODE, 100 V V(RRM), SOD-123 RoHS-konform: Ja
BZX79-C5V1.133 NXP (Englisch)10+SOD27Dioden für Spannungsregler
BAS17.215 PH310+SOT23Niederspannungs-Stabilisierungsdiode (ä1/2åç ̈³åäºæ管)
BCX70K,215 NXP (Englisch)10+ NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管)
BCV62C,215 PH310+ Transistoren für Stromspiegelanwendungen; Gehäuse: PG-SOT143-4; Polarität: PNP; VCEO (max): 30,0 V; Zapfwelle (max): 300,0 mW; hFE (min): 420,0 - 800,0;
BAT54.215 NXP (Englisch)10+SOT23-3Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管)
1N4937-E3/54 VISHAY10+ Schnell schaltender Kunststoffgleichrichter (å¿«éè1/2¬æ¢å¡è¶æ'æμå ̈)
ZXTP5401FLTA ZETEX10+SOT23-3150V, SOT23, PNP Hochspannungstransistor

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RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)

NXPåç产åæ ̈è


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BCX70K,215 NXP (Englisch)10+ NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管)
BAT54.215 NXP (Englisch)10+SOT23-3Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管)
1N4148,113 NXP (Englisch)10+DO35Epitaktische planare Siliziumdioden
BAV23,215 NXP (Englisch)10+BandAllzweck-Doppeldiode(åéç ̈äºæ管)
BC847BS.115 NXP (Englisch)10+SOT-23NPN Allzweck-Doppeltransistor(NPNéç ̈ååæ¶ä1/2管)
BZV55-C8V2,115 NXP (Englisch)10+PBFREEDioden für Spannungsregler
PMBD7000.215 NXP (Englisch)10+PBFREEHochgeschwindigkeits-Doppeldiode (åé«éäºæ管
PMBT2222A.215 NXP (Englisch)10+11+NPN-Schalttransistoren
BAS70,215 NXP (Englisch)10+BandSchottky-Barriere (doppelt) Dioden (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæ管)
BAS21.215 NXP (Englisch)10+SOT-23Allzweck-Dioden(éç ̈äºæ管)
BC847B,215 NXP (Englisch)10+SOT-223NPN-Allzweck-Transistor
BAS316,115 NXP (Englisch)10+BandHochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管)
BC857B,215 NXP (Englisch)10+BandPNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2管)
BC817-40.215 NXP (Englisch)10+SOT23NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4大å ̈)
PH4830L.115 NXP (Englisch)10+StandardpacN-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein): [email protected] V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V
869.115 BC NXP (Englisch)10+SOT89PNP Transistor mittlerer Leistung(PNPä ̧çåçæ¶ä1/2管)
BAV99S,115 NXP (Englisch)10+BandHochgeschwindigkeits-Schaltdioden; Gehäuse: PG-SOT363-6; Konfiguration: Vierfach; VR (max): 80,0 V; WENN (max): 200,0 mA; IR (max): 150,0 nA; TRR (max): 4,0
BAS16.215 NXP (Englisch)10+SOT23-3Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管)
PMEG4020EP.115 NXP (Englisch)10+PBFREE2 A Low Vf MEGA Schottky-Barrier-Gleichrichter, SOD128 (FlatPower), Reel Pack, SMD
BC847C,215 NXP (Englisch)10+BandNPN-Allzweck-Transistor

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