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BCV62C,215
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BCV62C,215

  • æå±ç±»å«ï1/4Åç«å 件Diskrete Komponente
  • 产åå称ï1/4Transistoren für Stromspiegelanwendungen; Gehäuse: PG-SOT143-4; Polarität: PNP; VCEO (max): 30,0 V; Zapfwelle (max): 300,0 mW; hFE (min): 420,0 - 800,0;
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BCV62C,215

Transistoren für Stromspiegelanwendungen; Gehäuse: PG-SOT143-4; Polarität: PNP; VCEO (max): 30,0 V; Zapfwelle (max): 300,0 mW; hFE (min): 420,0 - 800,0; IC: 2,0 mA;

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1N4148W-V-GS18 KRAFT10+ GLEICHRICHTERDIODE, 100 V V(RRM), SOD-123 RoHS-konform: Ja
BZX79-C5V1.133 NXP (Englisch)10+SOD27Dioden für Spannungsregler
BAS17.215 PH310+SOT23Niederspannungs-Stabilisierungsdiode (ä1/2åç ̈³åäºæ管)
BAS35,215 NXP (Englisch)10+SOT23NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管
BCX70K,215 NXP (Englisch)10+ NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管)
BAT54.215 NXP (Englisch)10+SOT23-3Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管)
1N4937-E3/54 VISHAY10+ Schnell schaltender Kunststoffgleichrichter (å¿«éè1/2¬æ¢å¡è¶æ'æμå ̈)
ZXTP5401FLTA ZETEX10+SOT23-3150V, SOT23, PNP Hochspannungstransistor
1N4148,113 NXP (Englisch)10+DO35Epitaktische planare Siliziumdioden
FCM8201QY FS810+32-LQFP576Mbit RDRAM (A-Die) 1M x 18bit x 32s Bänke Direct RDRAMTM

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

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BAS416,115 PH310+MPQ3000Diode mit geringem Leckstrom
PMBTA56.215 PH310+PH3PMBTA56.215
BSS138P.215 PH310+PH350-V-N-Kanal-Logikpegelverstärkungsmodus-Feldeffekttransistor; Gehäuse: SOT-23; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
BSP89,115 PH310+ N-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs (20 V bis 800 V); Gehäuse: PG-SOT223-4; Gehäuse: SOT-223; VDS (max): 240,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6.000,0 mOhm; RDS (ein) (
PBSS302PZ.135 PH310+SOT-22320 V, 5,5 A PNP Low VCEsat (BISS) Transistor
BAV70,215 PH310+BandHochgeschwindigkeits-Doppeldiode
TDA3619/N2.112 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
PCF8533U/2/F2.026 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
PCF1179CT.118 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
PCF8566T/1.112 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
UDA1344TS/N2.512 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
TDA1517P/N3.112 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
PCF8591P.112 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
SA56004ADP.118 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
NE1617ADS.112 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
TDA8574T/N1.518 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
TEA6101T/N3.118 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
74LVT04PW,112 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
GTL2006PW.118 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
SA56004BDP.118 PH310+11+ é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£

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