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BZX79-C5V1,133
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BZX79-C5V1.133

  • æå±ç±»å«ï1/4Åç«å 件Diskrete Komponente
  • 产åå称ï1/4Dioden für Spannungsregler
  • ååï1/4NXP (Englisch)
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  • å°è£ ï1/4SOD27
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BZX79-C5V1.133

Dioden für Spannungsregler

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SSL-LX3044GD LUM10+DIPLED-Lampe; Glühbirnengröße: T-1; LED-Farbe: Grün; Lichtstärke: 40ucd; Betrachtungswinkel:60 ; Durchlassstrom: 25 mA; Durchlassspannung: 2,2 V; Betrieb von Temperatu
BZG03C18TR3 VISHAY10+DO-214ACDIODE, ZENERSPULE 1500; Spannung, Vz:18V; Strom, Test: 25 mA; Gehäusestil: SMA; Anschlusstyp: SMD; Gehäuseform, alternativ: DO-214AC; Strom, Zener: 25 mA
TMMBAT42FILM  10+LEDSML-LXT0805GW-TR
SML-LXT0805GW-TR LUM10+ Farbe: Grün; Linsenfarbe: Weiß; Lichtstärke (MSCP):11; Betrachtungswinkel:140; Durchlassstrom: 30 mA; Durchlassspannung: 2,2 V; LED-Farbe: Grün; Bleihaltiges Pr
1N4148W-V-GS18 KRAFT10+ GLEICHRICHTERDIODE, 100 V V(RRM), SOD-123 RoHS-konform: Ja
BAS17.215 PH310+SOT23Niederspannungs-Stabilisierungsdiode (ä1/2åç ̈³åäºæ管)
BAS35,215 NXP (Englisch)10+SOT23NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管
BCX70K,215 NXP (Englisch)10+ NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管)
BCV62C,215 PH310+ Transistoren für Stromspiegelanwendungen; Gehäuse: PG-SOT143-4; Polarität: PNP; VCEO (max): 30,0 V; Zapfwelle (max): 300,0 mW; hFE (min): 420,0 - 800,0;
BAT54.215 NXP (Englisch)10+SOT23-3Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管)

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

NXPåç产åæ ̈è


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BAS35,215 NXP (Englisch)10+SOT23NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管
BCX70K,215 NXP (Englisch)10+ NPN Allzweck-Siliziumtransistor (NPNéç ̈æ¶ä1/2管)
BAT54.215 NXP (Englisch)10+SOT23-3Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管)
1N4148,113 NXP (Englisch)10+DO35Epitaktische planare Siliziumdioden
BAV23,215 NXP (Englisch)10+BandAllzweck-Doppeldiode(åéç ̈äºæ管)
BC847BS.115 NXP (Englisch)10+SOT-23NPN Allzweck-Doppeltransistor(NPNéç ̈ååæ¶ä1/2管)
BZV55-C8V2,115 NXP (Englisch)10+PBFREEDioden für Spannungsregler
PMBD7000.215 NXP (Englisch)10+PBFREEHochgeschwindigkeits-Doppeldiode (åé«éäºæ管
PMBT2222A.215 NXP (Englisch)10+11+NPN-Schalttransistoren
BAS70,215 NXP (Englisch)10+BandSchottky-Barriere (doppelt) Dioden (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæ管)
BAS21.215 NXP (Englisch)10+SOT-23Allzweck-Dioden(éç ̈äºæ管)
BC847B,215 NXP (Englisch)10+SOT-223NPN-Allzweck-Transistor
BAS316,115 NXP (Englisch)10+BandHochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管)
BC857B,215 NXP (Englisch)10+BandPNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2管)
BC817-40.215 NXP (Englisch)10+SOT23NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4大å ̈)
PH4830L.115 NXP (Englisch)10+StandardpacN-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein): [email protected] V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V
869.115 BC NXP (Englisch)10+SOT89PNP Transistor mittlerer Leistung(PNPä ̧çåçæ¶ä1/2管)
BAV99S,115 NXP (Englisch)10+BandHochgeschwindigkeits-Schaltdioden; Gehäuse: PG-SOT363-6; Konfiguration: Vierfach; VR (max): 80,0 V; WENN (max): 200,0 mA; IR (max): 150,0 nA; TRR (max): 4,0
BAS16.215 NXP (Englisch)10+SOT23-3Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管)
PMEG4020EP.115 NXP (Englisch)10+PBFREE2 A Low Vf MEGA Schottky-Barrier-Gleichrichter, SOD128 (FlatPower), Reel Pack, SMD

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