BC847BS.115

æå±ç±»å«ï1/4Åç«å ä»¶Diskrete Komponente
äº§ååç§°ï1/4NPN Allzweck-Doppeltransistor(NPNéç ̈ååæ¶ä1/2ç®¡)
ååï1/4NXP (Englisch)
çäº§æ¹å·ï1/410+
å°è£ ï1/4SOT-23
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åºåéï1/4423000
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BC847BS.115

NPN Allzweck-Doppeltransistor(NPNéç ̈ååæ¶ä1/2ç®¡)

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BZG03C39TR	VISHAY	10+	DO-214AC	Silizium-Z-Dioden
SML-LXR851SISGC-TR	LUM	10+		LED 590NM SYLW CLR RA SMD T/R
BC847BPN.115	AUF	10+	SOD-123	NPN/PNP Universaltransistor (NPN/PNPéç ̈åæ¶ä1/2ç®¡)
MMSZ10T1G	AUF	10+	SOD-123	Zenerdiode 500 mW 10 V ±5% SOD-123; Gehäuse: SOD-123 2-POLIG; Anzahl der Pins: 2; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 3000
LPF-C031303S	LUM	10+	DIP SOP	LICHTLEITER 2,8 MM 3POS RA SMD
SSL-LX3044YD	LUMEX	10+	DIP	LED-Lampe; Farbe: Gelb; Linsenfarbe: Gelb; Lichtstärke (MSCP):30; Betrachtungswinkel:60; Durchlassstrom: 30 mA; Durchlassspannung: 2,1 V; LED-Farbe: Yello
MMBT2907A-7-F	DIODEN	10+	SOT-23	PNP KLEINSIGNAL-TRANSISTOR FÜR OBERFLÄCHENMONTAGE
SI6954ADQ-T1-E3	VISHAY	10+	TSSOP-8	MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:3,1A; Einschaltwiderstand, Rds(Ein):0,075 Ohm; Rds(an)
MUN5335DW1T1G	AUF	10+	SOT-363	Dual-Bias-Widerstandstransistoren NPN- und PNP-Silizium-Oberflächenmontagetransistoren mit monolithischem Bias-Widerstandsnetzwerk
BZV55-C8V2,115	NXP (Englisch)	10+	PBFREE	Dioden für Spannungsregler

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M393A8G40BB4-CWE	Samsung (Englisch)	21+	BGA (Englisch)	Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F)	Toshiba	21+	DIP	Optokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28	SOURIAU-SONNENBANK	2023+	è¿æ¥å ̈	Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J	Mitsubishi	2021+	æ ̈¡å	Mitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y	Mitsubishi	2021+	æ ̈¡å	Mitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S	Amphenol Industrial Operations	24+	è¿æ¥å ̈	CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S	Amphenol Corporation	24+	è¿æ¥å ̈	Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX	NXP (Englisch)	24+	å·¥å ·	NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PEä»¿çå ̈
KPT02E8-4P	ITT	24+	è¿æ¥å ̈	Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J	TE	24+	DIP	HSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12	ITT	2023+	è¿æ¥å ̈	Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F	Daniels Manufacturing Corporation (DMC)	24+	å·¥å ·	DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T	CMF	23+	æ ̈¡å	Tç³»åä ̧æç®¡æ3/4å¤§å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR	Vishay	24+	DIP	RES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU	STPI	22+	ç»§çμå ̈	STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC	ä ̧è±	2024+	å·¥å ·	ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV	Vishay Dale	24+	1206	SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410	Crydom Inc	23+	ç»§çμå ̈	Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V	Mors Smitt	2024+	ç»§çμå ̈	éé/åç ̈³æéè1/21/2åçç»§çμå ̈KDN-B 110VDC

NXPåçäº§åæ ̈è

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BZV55-C8V2,115	NXP (Englisch)	10+	PBFREE	Dioden für Spannungsregler
PMBD7000.215	NXP (Englisch)	10+	PBFREE	Hochgeschwindigkeits-Doppeldiode (åé«éäºæç®¡
PMBT2222A.215	NXP (Englisch)	10+	11+	NPN-Schalttransistoren
BAS70,215	NXP (Englisch)	10+	Band	Schottky-Barriere (doppelt) Dioden (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæç®¡)
BAS21.215	NXP (Englisch)	10+	SOT-23	Allzweck-Dioden(éç ̈äºæç®¡)
BC847B,215	NXP (Englisch)	10+	SOT-223	NPN-Allzweck-Transistor
BAS316,115	NXP (Englisch)	10+	Band	Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæç®¡)
BC857B,215	NXP (Englisch)	10+	Band	PNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2ç®¡)
BC817-40.215	NXP (Englisch)	10+	SOT23	NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4å¤§å ̈)
PH4830L.115	NXP (Englisch)	10+	Standardpac	N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein): [email protected] V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V
869.115 BC	NXP (Englisch)	10+	SOT89	PNP Transistor mittlerer Leistung(PNPä ̧çåçæ¶ä1/2ç®¡)
BAV99S,115	NXP (Englisch)	10+	Band	Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden; Gehäuse: PG-SOT363-6; Konfiguration: Vierfach; VR (max): 80,0 V; WENN (max): 200,0 mA; IR (max): 150,0 nA; TRR (max): 4,0
BAS16.215	NXP (Englisch)	10+	SOT23-3	Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæç®¡)
PMEG4020EP.115	NXP (Englisch)	10+	PBFREE	2 A Low Vf MEGA Schottky-Barrier-Gleichrichter, SOD128 (FlatPower), Reel Pack, SMD
BC847C,215	NXP (Englisch)	10+	Band	NPN-Allzweck-Transistor
SA58631	NXP (Englisch)	10+	HVQFN8	SA58631 Serie 6 db - 30 db Gain 3 W BTL Audioverstärker - HVSON - 8
ASC8850	NXP (Englisch)	10+	å1/4åæ¿	asc8850 é«æ ̧ æåæºå1/4åå H.264 1080P
PESD3V3L5UY	NXP (Englisch)	11+	SOT363
HEF4073BP	NXP (Englisch)	09+	DIP	é»è3/4è ̄çï1/43çº¿è3/4å ¥
PNX1302EH	NXP (Englisch)	10+	QFN	æ§å¶å ̈

BC847BS.115

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