ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRF9Z14STRL
产åå3/4çä» ä3/4åè
æ ¬ ¢è ¿ç '¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF9Z14STRL

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
  • ååï1/4الاشعه تحت الحمراء
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å ° è £ ï1/4إلى -263
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/48000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRF9Z14STRLçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF9Z14STRLطاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)

ä ̧IRF9Z14STRLç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
UC2525A تي10+16 د.آي بي إ، 16 مركز التصنيع العسكريç ̈³åèå®1/2è°Å¶å ̈
IRF9641 الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220الترانزستور | موسفت | قناة P | 150 فولت V(BR)DSS | 11 أ أنا (د) | TO-220AB
IRF9Z10 الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220موسفيت بي سي تش 50 فولت 6.7 أمبير إلى 220 أب
IRF9Z12 الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220الترانزستور | موسفت | قناة P | 50 فولت V(BR)DSS | 4 أ أنا (د) | إلى 220
IRF9Z14STRR الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14SPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14S الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14PBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14LPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14L الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
AB0521001412PN00 موصلات AB24+è ¿æ ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥1/4è, å¡å£
TM-I2000 / 115-230P ABB24+ååå ̈محول تحكم وعزل أحادي الطور
C25-1AX-H13-N-HB-L هايمو24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V رينساس23+QFP100IC MCU 16 بت 512 كيلو بايت فلاش 100QFP
S3T-R-F5 داتالوجيك22+تراجعأجهزة الاستشعار الكهروضوئية
M393A8G40BB4-CWE سامسونج21+BGAسامسونج 64 جيجابايت 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759 (J ، F) توشيبا21+تراجعترانزستور Optocoupler DC-IN 1-CH مع قاعدة DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK مورس سميت24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 سوريو صن بانك2023+è ¿æ ¥å ̈اتصالات معممة قياسية تجعيد المقبس الاتصال 16-20 AWG
CM300DY-24J ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي إلكتريك 1200 فولت 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
CM300DY-24 سنة ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي إلكتريك 1200 فولت 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
PT02E10-6 ثانية أمفينول للعمليات الصناعية24+è ¿æ ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS كأس لحام
KP02A14-15 ثانية شركة أمفينول24+è ¿æ ¥å ̈موصل دائري ، وعاء ، مقاس 14 ، 15 موضع ، صندوق ، نطاق المنتج: سلسلة Pt ،
U-MULTILINK-FX إن إكس بي24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è ¿æ ¥å ̈كون دائري PIN 4 POS لحام ST صندوق جبل 4 محطة 1 منفذ
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة المصنوعة من الألومنيوم 75W-500W قدرة تبديد ، بأكسيد الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
هاتف: 27914-30T12 آي تي تي2023+è ¿æ ¥å ̈أبعاد الاتصال - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعRES 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
IRF9Z14SPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14S الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14PBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14LPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14L الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z14 الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -60 فولت ، Rds (على) = 0.50 أوم ، المعرف = -6.7 أمبير)
IRF9Z24STRR الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -55V ، Rds (على) = 0.175 أوم ، المعرف = -12A)
IRF9Z24STRL الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -55V ، Rds (على) = 0.175 أوم ، المعرف = -12A)
IRF9Z24SPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -55V ، Rds (على) = 0.175 أوم ، المعرف = -12A)
IRF9Z24S الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263طاقة MOSFET (Vdss = -55V ، Rds (على) = 0.175 أوم ، المعرف = -12A)
IRF9Z24PBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -55V ، Rds (على) = 0.175 أوم ، المعرف = -12A)
IRF9Z24L الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -55V ، Rds (على) = 0.175 أوم ، المعرف = -12A)
IRF9Z24 الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220طاقة MOSFET (Vdss = -55V ، Rds (على) = 0.175 أوم ، المعرف = -12A)
IRF9Z20 الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220Pæ²éMOSFETç50ä1/4ççμæº
IRF9Z34STRR الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220P-Channel HEXFET Power MOSFET(Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34STRL الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220P-Channel HEXFET Power MOSFET(Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34SPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220P-Channel HEXFET Power MOSFET(Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34S الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220P-Channel HEXFET Power MOSFET(Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34PBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى 220P-Channel HEXFET Power MOSFET(Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34L الاشعه تحت الحمراء10+إلى 262-3P-Channel HEXFET Power MOSFET(Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com 2010-2011© MCCT粤ICPå¤14056028å·