ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRFI9Z14GPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRFI9Z14GPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/410+PBF
  • å°è£ ï1/4TO-220F
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/48000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRFI9Z14GPBFçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRFI9Z14GPBF MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP

ä ̧IRFI9Z14GPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRFI640G IR10+PBFTO-220FMOSFET de potència (Vdss = 200 V, Rds (encès) = 0,18 ohms, Id = 9,8 A)
IRFI640 IR10+PBFTO-220FMOSFET de potència (Vdss = 200 V, Rds (encès) = 0,18 ohms, Id = 9,8 A)
IRFI644GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET de potència (Vdss = 250V, Rds (on) = 0.28ohm, Id = 7.9A)
IRFI644G IR10+PBFTO-220FMOSFET de potència (Vdss = 250V, Rds (on) = 0.28ohm, Id = 7.9A)
IRFI644 IR10+PBFTO-220FMOSFET de potència (Vdss = 250V, Rds (on) = 0.28ohm, Id = 7.9A)
IRFI9Z14G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
IRFI9Z24GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z24G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z34GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
IRFI9Z34G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KH208-8 Vitrohm24+CABUSSAMENTResistència, 100 mil·liohms, ï¿1/2 10%, 5 W, Axial Leaded, Filferro, Potència (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+CABUSSAMENTç©å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Tecnologies energètiques d'Amphenol24+è¿æ¥å ̈Connector 309, 3P+N+E / 5W - 60A - Connector - 277/480V keway 7h, IP67
HBL430B7W Cablejat de les instal·lacions de Hubbell24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, ENTRADA, 3P4W, 30A 3P 480V, 4X/69K
621N-18F-10-6S Corporació Amphenol24+è¿æ¥å ̈Connector circular Connector Connector Mida 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relé - Endollable, 4 pols, bobina de CA
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Connectors23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Connectors23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Connectors23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Connectors24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Transformador monofàsic de control i aïllament
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATALOGIC22+CABUSSAMENTSensors fotoelèctrics
M393A8G40BB4-CWE Samsung21+BGASamsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759 (J, F) Toshiba21+CABUSSAMENTOptoacoblador DC-IN Transistor d'1 canal amb base DC-OUT PDIP de 8 pins
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRFI9Z14G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
IRFI9Z24GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z24G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z34GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
IRFI9Z34G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
IRFIZ14G IR11+TO-220MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
IRFIZ24GPBF IR11+TO-220MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.071ohm, Id = 14A)
IRFIZ24G IR11+TO-220MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.071ohm, Id = 14A)
IRFIZ24 IR11+TO-220MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.071ohm, Id = 14A)
IRFIZ34GPBF IR11+TO-220MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.042ohm, Id = 21A)
IRFIZ34G IR11+TO-220MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.042ohm, Id = 21A)
IRFIZ34 IR11+TO-220MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.042ohm, Id = 21A)
IRFIZ44GPBF IR11+SOT-223MOSFET de potència (Vdss = 55V, Rds (on) = 0.024ohm, id = 31A)
IRFIZ44G IR11+SOT-223MOSFET de potència (Vdss = 55V, Rds (on) = 0.024ohm, id = 31A)
IRFIZ44 IR11+SOT-223MOSFET de potència (Vdss = 55V, Rds (on) = 0.024ohm, id = 31A)
IRFIZ48GPBF IR11+SOT-223MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.018ohm, Id = 37A)
IRFIZ48G IR11+SOT-223MOSFET de potència (Vdss = 60V, Rds (on) = 0.018ohm, Id = 37A)
IRFL014TRPBF IR11+SOT-22355 V, 1.9 A, MOSFET de potència HEXFET de canal N (55 V, 1.9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014TR IR11+SOT-22355 V, 1.9 A, MOSFET de potència HEXFET de canal N (55 V, 1.9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014PBF IR11+SOT-22355 V, 1.9 A, MOSFET de potència HEXFET de canal N (55 V, 1.9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)

åç±»æ£ç'¢

Drets d'autor chip100.com 2010-2011© MCCT粤ICPå¤14056028å·