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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)
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IRFIZ48GLeistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)

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IRFIZ34 IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (Ein) = 0,042 Ohm, Id = 21 A)
IRFIZ44GPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ44G IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ44 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ48GPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)
IRFL014TRPBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014TR IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014PBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014 IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL110TRPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)

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ADIS16575-2BMLZ INSERAT25+Modul6 DOF Prec IMU, 8 g (450 DPS D)
N/MS3108B20-4P JAE Elektronik2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, 4 Kontakt(e), Kunststoff, Stecker, Lötanschluss, Stecker
62IN-18F-10-6S Amphenol Corporation2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
NLS-N-BK-C70-M40BEPN250 ITT24+è¿æ¥å ̈NLS-N-BK-C70-M40B EPN250
V93BR Mors Smitt24+è¿æ¥å ̈V93BRæ座-èºéç« ̄åï1/4è1/2 ̈éå 裮8æ
V17-D MORSSMITT24+继çμå ̈继çμå ̈æ座æå1/4¹ç°§ç« ̄å
VGE1TS181900L SOURIAU-SONNENBANK24+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL Spec Endgehäuse BACKSHELL SZ18
KEYSTONE26 Keystone Elektronik24+è¿æ¥å ̈ÖSE 0,187" MESSING VERZINNT
KPSE06E14-19SA206 ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular SKT 19 POS Crimp ST Kabelhalterung 19 Klemme 1 Port
KPSE06J14-19P ITT24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder KPSE 19C 19#20 STIFT STECKER
W-1-005-4STUD T&M24+DIPSERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen
ABBH2214SDAM AB Steckverbinder2024+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å°3/4管
Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
Nr. C195A/24EC-U2 æ²å°ç¹å®25+DIPæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
D-U204-E Mors Smitt24+DIPç¬æ¶ç»§çμå ̈
PW620-18d/2S/R/KS135 FSG24+DIPStellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W
P783-Q24-S5-S CUI Inc24+DIPDC DC WANDLER 5V 15W
9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin

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IRFL014TRPBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014TR IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014PBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014 IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL110TRPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110TR IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110PBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFP044PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP044 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP048RPBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048R IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048PBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048 IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP054PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung
IRFP054 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung
IRFP064PBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî)
IRFP064 IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî)
IRFP140PBF IR11+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4)
IRFP140 IR11+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4)

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