| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BYM36DGP
| NXP (Englisch) | 2011 | SOD-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYM36EGP
| NXP (Englisch) | 2011 | SOD-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYM26D
| NXP (Englisch) | 07+ | SOD-64 | Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管) |
|
BYM26E
| NXP (Englisch) | 07+ | SOD-64 | Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管) |
|
BYM26C
| NXP (Englisch) | 10+ | SOD-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4600Vçï1/4ï1/4 INNOLINE: RP50-S - Einzelausgänge bis 15A- Eingang/Ausgang 1,6kVDC Isolation- Einstellbare Ausgangsspannung - kein Minimum |
|
BYV28-50
| NXP (Englisch) | 07+ | SOD-64 | è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
PSMN004-55W
| NXP (Englisch) | 10+ | TO-247 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS N-Kanal Logikpegel TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 100 A; Qgd (typisch): 106 nC; RDS(ein): 4,2 @ |
|
PSMN005-75B
| NXP (Englisch) | 10+ | TO-263-3 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi |
|
PSMN009-100W
| NXP (Englisch) | 10+ | TO-247 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi |
|
PSMN035-150P
| NXP (Englisch) | 10+ | TO-220 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMO N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 50 A; Qgd (typisch): 33 nC; RDS(ein): 35@10V |
|
PSMN057-200B
| NXP (Englisch) | 10+ | TO-263 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
|
PSMN057-200P
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT78/TO-220 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
|
PSMN063-150D
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-252 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管Rundsteckverbinder; MIL SPEC: MIL-C-26482, Serie I, Löten; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:4; Steckergehäuse Siz |
|
PSMN070-200B
| NXP (Englisch) | 10+ | TO-263 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT07; Anzahl der Kontakte:41; Größe des Steckergehäuses: 20; Beendigung der Verbindung:Cri |
|
PSMN070-200P
| NXP (Englisch) | 10+ | TO-220 | N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
|
PSMN102-200Y
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
|
PSMN130-200D
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-252 | N-Kanal TrenchMOS-Transistor (Næ²é TrenchMOSæ¶ä1/2管) |
|
PSMN1R7-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2 @[email protected]mOhm; VDSmax: 3 |
|
PH9930L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2 @[email protected]mOhm; VDSmax: 3 |
|
PH8230E
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2 @[email protected]mOhm; VDSmax: 3 |