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  • ååï1/4NXP (Englisch)
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BYM26C å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4600Vçï1/4ï1/4 INNOLINE: RP50-S - Einzelausgänge bis zu 15 A- Eingangs-/Ausgangsisolierung 1,6 kVDC - Einstellbare Ausgangsspannung - Keine Mindestlast - Unterspannungsabschaltung - Grundfläche nach Industriestandard - Fest betriebsbereit Frequenz - Halt getestet - Kompaktes 61,0 x 57,91 x 12,7 mm Gehäuse - Hoher Wirkungsgrad bis

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BYV26B VISHAY10+SOD-57å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYV26C VISHAY10+SOD-57å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4ECONOLINE: RQS & RQD - 1kVDC Isolierung - Interne SMD-Konstruktion - UL94V-0 Gehäusematerial - Ringkernförmig Magnetik - Wirkungsgrad
FE2D VISHAY10+SOD-57Glaspassivierter, schneller effizienter Gleichrichter(éåç»çå¿«éæåºæ'æμå ̈)
BYV27-200S VISHAY10+DO-64è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4
GI1102 VISHAY10+SOD-57Glaspassivierter, schneller effizienter Gleichrichter(éåç»çå¿«éæåºæ'æμå ̈)
BYV28-50 NXP (Englisch)07+SOD-64è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYV28-200 VISHAY10+SOD-64è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4
SBYV26A VISHAY10+DO-41ç»çéåè¶ å¿«éæ'æμå ̈ Kippschalter der TL-Serie, 1-polig, 2 Positionen, Schraubklemme, Tab-Hebel
SBYV26B VISHAY10+DO-41ç»çéåè¶ å¿«éæ'æμå ̈ Kippschalter der TL-Serie, 1-polig, 2 Positionen, Schraubklemme, Tab-Hebel
SBYV26C VISHAY10+DO-41ç»çéåè¶ å¿«éæ'æμå ̈ Kippschalter der TL-Serie, 1-polig, 2 Positionen, Schraubklemme, Tab-Hebel

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

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BYV28-50 NXP (Englisch)07+SOD-64è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4
PSMN004-55W NXP (Englisch)10+TO-247Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS N-Kanal Logikpegel TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 100 A; Qgd (typisch): 106 nC; RDS(ein): 4,2@
PSMN005-75B NXP (Englisch)10+TO-263-3Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi
PSMN009-100W NXP (Englisch)10+TO-247Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi
PSMN035-150P NXP (Englisch)10+TO-220Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMO N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 50 A; Qgd (typisch): 33 nC; RDS(ein): 35@10V
PSMN057-200B NXP (Englisch)10+TO-263Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN057-200P NXP (Englisch)10+SOT78/TO-220Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN063-150D NXP (Englisch)10+SOT-252Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管Rundsteckverbinder; MIL SPEC: MIL-C-26482, Serie I, Löten; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:4; Steckergehäuse Siz
PSMN070-200B NXP (Englisch)10+TO-263Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT07; Anzahl der Kontakte:41; Größe des Steckergehäuses: 20; Beendigung der Verbindung:Cri
PSMN070-200P NXP (Englisch)10+TO-220N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN102-200Y NXP (Englisch)10+SOT-669N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN130-200D NXP (Englisch)10+SOT-252N-Kanal TrenchMOS-Transistor (Næ²é TrenchMOSæ¶ä1/2管)
PSMN1R7-30YL NXP (Englisch)10+SOT-669N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH9930L NXP (Englisch)10+SOT-669N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH8230E NXP (Englisch)10+SOT-669N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH7030L NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PSMN7R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PH6030L NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PSMN6R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PH8030L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS

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