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ååï1/4NXP (Englisch)
çäº§æ¹å·ï1/42011
å°è£ ï1/4SOD-64
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BYM36EGP å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4Serie RP60 (G) - Powerline-geregelte DC-DC-Wandler; Eingangsspannung (VDC): 24V; Ausgangsspannung (VDC): 3,3 V; 60 Watt geregelte Ausgangsleistung; 2:1 Großer Eingangsspannungsbereich; 1,6 kVDC Isolierung (Basisisolierung); Überlast- und Übertemperaturschutz; sechsseitiger Schild; Kein Derating auf 40?? C; Norm 2? x2? Verpackung und Pinning; Wirkungsgrad bis zu 90 %

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LM2903V	TI	09+	8SOIC, 8TSSOP	åè· ̄å·®å ̈æ ̄è3/4å ̈ï1/4çμåå¢å1/4ºå
BYM36AGP	NXP (Englisch)	2011	SOD-64	å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYM36BGP	NXP (Englisch)	2011	SOD-64	å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYM36CGP	NXP (Englisch)	2011	SOD-64	å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYM36DGP	NXP (Englisch)	2011	SOD-64	å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYV28-100	VISHAY	2011	SOD-64	è¶ é«éä1/2æå¤±æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æ'æμå ©̈ï1/4 Aluminium-Elektrolytkondensator; Kapazität: 15uF; Kapazitätstoleranz:+/- 10 %; Betriebsspannung, DC: 150 V; Terminal Ty
LM2903-Q1	TI	10+	8SOIC, 8TSSOP	æ±1/2è1/2¦ç±»åè· ̄å·®å ̈æ ̄è3/4å ̈
Nr. LM2903	TI	10+	8MSOP, 8PDIP, 8SO, 8SOIC, 8TSSOP	åè· ̄å·®å ̈æ ̄è3/4å ̈
BYV26D	VISHAY	2011	SOD-57	å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYV26E	VISHAY	2011	SOD-57	å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4

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JAE. JIT. OCHSE-16	JAE Elektronik	2023+	è¿æ¥å ̈	16#ééå ̈
RCS20M-12RD28	SOURIAU-SONNENBANK	2023+	è¿æ¥å ̈	Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kÎ©129	FSG	24+	çμä1/2å ̈	PW620-41 M 5k Î©/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	ç»§çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108	ITT Interconnect-Lösungen	24+	è¿æ¥å ̈	CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500	æ¬§ç±³è	24+	DIP	è£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4çº¿è1/2'ï1/4 \| æ¬§ç±³è éç»ç1/4 T/C çº¿ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4çº¿è1/2"
ET-JL06-18	JAE Elektronik	2023+	å·¥å ·	æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F	TT	23+	2512	Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	DIP	Kondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2	æ²å°ç¹å®	24+	DIP	è1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	çμå®¹	Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN	OMRON Corporation	24+	æé®	ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437	TE Connectivity	24+	è¿æ¥å ̈	Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück

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BYM26D	NXP (Englisch)	07+	SOD-64	Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæç®¡)
BYM26E	NXP (Englisch)	07+	SOD-64	Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæç®¡)
BYM26C	NXP (Englisch)	10+	SOD-64	å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4600Vçï1/4ï1/4 INNOLINE: RP50-S - Einzelausgänge bis 15A- Eingang/Ausgang 1,6kVDC Isolation- Einstellbare Ausgangsspannung - kein Minimum
BYV28-50	NXP (Englisch)	07+	SOD-64	è¶ é«éä1/2æå¤±æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4
PSMN004-55W	NXP (Englisch)	10+	TO-247	Næ²éæ¶ä1/2ç®¡TrenchMOS N-Kanal Logikpegel TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 100 A; Qgd (typisch): 106 nC; RDS(ein): 4,2@
PSMN005-75B	NXP (Englisch)	10+	TO-263-3	Næ²éæ¶ä1/2ç®¡TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi
PSMN009-100W	NXP (Englisch)	10+	TO-247	Næ²éæ¶ä1/2ç®¡TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi
PSMN035-150P	NXP (Englisch)	10+	TO-220	Næ²éæ¶ä1/2ç®¡TrenchMO N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 50 A; Qgd (typisch): 33 nC; RDS(ein): 35@10V
PSMN057-200B	NXP (Englisch)	10+	TO-263	Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2ç®¡N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN057-200P	NXP (Englisch)	10+	SOT78/TO-220	Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2ç®¡N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN063-150D	NXP (Englisch)	10+	SOT-252	Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2ç®¡Rundsteckverbinder; MIL SPEC: MIL-C-26482, Serie I, Löten; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:4; Steckergehäuse Siz
PSMN070-200B	NXP (Englisch)	10+	TO-263	Næ²éæ¶ä1/2ç®¡TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT07; Anzahl der Kontakte:41; Größe des Steckergehäuses: 20; Beendigung der Verbindung:Cri
PSMN070-200P	NXP (Englisch)	10+	TO-220	N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN102-200Y	NXP (Englisch)	10+	SOT-669	N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN130-200D	NXP (Englisch)	10+	SOT-252	N-Kanal TrenchMOS-Transistor (Næ²é TrenchMOSæ¶ä1/2ç®¡)
PSMN1R7-30YL	NXP (Englisch)	10+	SOT-669	N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH9930L	NXP (Englisch)	10+	SOT-669	N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH8230E	NXP (Englisch)	10+	SOT-669	N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH7030L	NXP (Englisch)	10+	SOT-669	æ²éåºæåºæ¶ä1/2ç®¡é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PSMN7R0-30YL	NXP (Englisch)	10+	SOT-669	æ²éåºæåºæ¶ä1/2ç®¡é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V

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