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BYM26E

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  • 产åå称ï1/4Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管)
  • ååï1/4NXP (Englisch)
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BYM26EAxialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管) INNOLINE: RP50-xxxxSB - Einzelausgänge bis 20A; Ein-/Ausgang 1,6 kVDC Isolation; einstellbare Ausgangsspannung; keine Mindestbelastung; Unterspannungs-Sperrung; Grundfläche nach Industriestandard; Feste Betriebsfrequenz; Halt getestet; Kompaktes Gehäuse mit 36,83 x 57,91 x 12,7 mm; Hoher Wirkungsgrad

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THS6204 TI09+8SO PowerPAD, 8SOICåè· ̄é«åä1/2失çμæμåé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
BYT53F VISHAY07+SOD-57Leistungsgleichrichter mit schneller Wiederherstellung; Nennstrom: 1,9 A; Eigenschaften: Ultraschnelle Wiederherstellung; Durchlassstrom: 1,9 A; Durchlassstrom durchschnittlich gleichgerichtet, IF(AV):1,9A; Für
BYT53G VISHAY07+SOD-57Leistungsgleichrichter mit schneller Wiederherstellung; Nennstrom: 1,9 A; Eigenschaften: Ultraschnelle Wiederherstellung; Durchlassstrom: 1,9 A; Durchlassstrom durchschnittlich gleichgerichtet, IF(AV):1,9A; Für
GI1104 VISHAY07+SMDGlaspassivierter, schneller effizienter Gleichrichter(éåç»çå¿«éæåºæ'æμå ̈)
BYM26D NXP (Englisch)07+SOD-64Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管)
Artikel-Nr.: 1N5417 VISHAY10+ROHSMDAxialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管)
OPA2684 TI10+8SOIC, 8SOT-23åè· ̄ä1/2åèçμæμåé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
VONW178 VISHAY10+ROHSOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYT56M VISHAY10+ROHSOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYM36B VISHAY10+ROHSOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4

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SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIP继çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT

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BYM26C NXP (Englisch)10+SOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4600Vçï1/4ï1/4 INNOLINE: RP50-S - Einzelausgänge bis 15A- Eingang/Ausgang 1,6kVDC Isolation- Einstellbare Ausgangsspannung - kein Minimum
BYV28-50 NXP (Englisch)07+SOD-64è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4
PSMN004-55W NXP (Englisch)10+TO-247Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS N-Kanal Logikpegel TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 100 A; Qgd (typisch): 106 nC; RDS(ein): 4,2 @
PSMN005-75B NXP (Englisch)10+TO-263-3Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi
PSMN009-100W NXP (Englisch)10+TO-247Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi
PSMN035-150P NXP (Englisch)10+TO-220Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMO N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 50 A; Qgd (typisch): 33 nC; RDS(ein): 35@10V
PSMN057-200B NXP (Englisch)10+TO-263Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN057-200P NXP (Englisch)10+SOT78/TO-220Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN063-150D NXP (Englisch)10+SOT-252Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管Rundsteckverbinder; MIL SPEC: MIL-C-26482, Serie I, Löten; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:4; Steckergehäuse Siz
PSMN070-200B NXP (Englisch)10+TO-263Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT07; Anzahl der Kontakte:41; Größe des Steckergehäuses: 20; Beendigung der Verbindung:Cri
PSMN070-200P NXP (Englisch)10+TO-220N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN102-200Y NXP (Englisch)10+SOT-669N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V
PSMN130-200D NXP (Englisch)10+SOT-252N-Kanal TrenchMOS-Transistor (Næ²é TrenchMOSæ¶ä1/2管)
PSMN1R7-30YL NXP (Englisch)10+SOT-669N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2 @[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH9930L NXP (Englisch)10+SOT-669N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2 @[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH8230E NXP (Englisch)10+SOT-669N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2 @[email protected] mOhm; VDSmax: 3
PH7030L NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PSMN7R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PH6030L NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V
PSMN6R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT-669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V

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