IRF6623TR1PBF

æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
äº§ååç§°ï1/4Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
ååï1/4IR
çäº§æ¹å·ï1/410+
å°è£ ï1/4QFN
åºåç¶æï1/4æåºå
åºåéï1/412000
æä1/2è¢® è'éï1/41
è ̄¦ç»èμæï1/4

äº§åä»ç»

IRF6623TR1PBFEin 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6623 für die Verwendung mit bleifreiem Löten qualifiziert, das in Band und Rolle 1000 Stück geliefert wird

ä ̧IRF6623TR1PBFç ̧å ³çICè¿æï1/4

åå·	åå	æ¹å·	å°è£	è ̄'æ
IRF6623TR1PBF	IR	10+	QFN	Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie

çé ̈æç'¢

åå·	åå	æ¹å·	å°è£	è ̄'æ
CU-U-201-GE	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	ç»§çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108	ITT Interconnect-Lösungen	24+	è¿æ¥å ̈	CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500	æ¬§ç±³è	24+	DIP	è£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4çº¿è1/2'ï1/4 \| æ¬§ç±³è éç»ç1/4 T/C çº¿ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4çº¿è1/2"
ET-JL06-18	JAE Elektronik	2023+	å·¥å ·	æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F	TT	23+	2512	Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	DIP	Kondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2	æ²å°ç¹å®	24+	DIP	è1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	çμå®¹	Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN	OMRON Corporation	24+	æé®	ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437	TE Connectivity	24+	è¿æ¥å ̈	Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8	Vitrohm	24+	DIP	Widerstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000	Amphenol Positronic	23+	DIP	©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11	å3/4·å1/2E+E	24+	æ ̈¡å	å·åæ£æμä»ª

IRåçäº§åæ ̈è

åå·	åå	æ¹å·	å°è£	è ̄'æ
IR2110STRPBF	IR	10+	SOP-16	High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in
IRLL2705PBF	IR	10+	SOT-223	HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A )
IRF5800TRPBF	IR	10+	SOT23-6	-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung.
IRLR024NTRPBF	IR	10+	TO-252	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR024NTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFS4127TRLPBF	IR	10+	TO-262	200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse
IRF3415PBF	IR	10+	TO-220	HEXFETåçMOSFET
IRF520NPBF	IR	10+	TO-220	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung
IRF3415SPBF	IR	10+	D2-PAK	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung
IR2136JTRPBF	IR	10+	PLCC-32	3-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf
IR2181PBF	IR	10+	DIP8-KARTON	é«ç« ̄åä1/2ç« ̄é©±å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA
IRLZ24NPBF	IR	10+	TO-220	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung
IRF1010EZPBF	IR	10+	TO-220AB	åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî
IRFR4615TRLPBF	IR	10+	D-PAK	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFB4615PBF	IR	10+	TO220	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFR2405TRPBF	IR	2011	TO-252	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF1503SPBF	IR	2011	TO-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRG4PSC71UDPBF	IR	2011	TO-247	ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2ç®¡ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæç®¡ INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE
IR2112STRPBF	IR	2011	SOP-16	High- und Low-Side-Treiber, Abschalteingang in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2112 in einem 16-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird
IRLZ44NPBF	IR	2011	TO-220	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ44NPBF mit Standardverpackung
IRF7406TRPBF	IR	10+	SOP-8	-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7406TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel

IRF6623TR1PBF

ä ̧IRF6623TR1PBFç ̧å ³çICè¿æï1/4

çé ̈æç'¢

IRåçäº§åæ ̈è

åç±»æ£ç'¢