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IDP45E60
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IDP45E60

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  • 产åå称ï1/4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
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IDP45E60 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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IDW75E60 INFINEON10+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 75,0 A; ZF (max): 120,0 A; IF,SM (max): 220,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40,0
IDW100E60 INFINEON1012+TO-247å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO247-3; WENN (typ): 100,0 A; WENN (max): 150,0 A; IF,SM (max): 400,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 40.
IDTQ3383Q IDT08+SSOP-24QUICKSWITCH产å3.3é«éæ»çº¿å1/4å ³
IDT74FCT3807APY IDT10+SSOP-203.3V CMOSçμ1è³10æ¶é鱩 å ̈å ̈
IDT74FCT163374CPA IDT10+TSSOP483.3VçCMOS 16ä1/2å ̄åå ̈ï1/43æï1/4
IDP45E120 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP23E60 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP18E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0
IDP15E60 INFINEON10+PG-TO220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP12E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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W-1-005-4STUD T&M24+DIPSERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen
ABBH2214SDAM AB Steckverbinder2024+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å°3/4管
Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
Nr. C195A/24EC-U2 æ²å°ç¹å®25+DIPæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
D-U204-E Mors Smitt24+DIPç¬æ¶ç»§çμå ̈
PW620-18d/2S/R/KS135 FSG24+DIPStellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W
P783-Q24-S5-S CUI Inc24+DIPDC DC WANDLER 5V 15W
9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
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CIR013106T01031819SCNP0406 ITT Interconnect-Lösungen2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
CIR013106T01031819SCYP0406 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
110IMX35D12D12-8G Bel Power Lösungen24+继çμå ̈DC-DC-WANDLER 12V 12V 12V 35W
SF400-1F æ³å1/2å©å¥24+继çμå ̈STECKDOSENSOCKEL FÜR EISENBAHNEN - MONTAGEART H
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ACB1/PG-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
ACB1/BK-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER

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IDP45E120 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP23E60 INFINEON10+PG-TO220-2å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管
IDP18E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0
IDP15E60 INFINEON10+PG-TO220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP12E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP09E60 INFINEON10+PG-TO220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP09E120 INFINEON10+PG-TO220-21200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0
IDP06E60 INFINEON10+TO-220-2600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDP04E120 INFINEON10+TO-220èç¹åºäºæ管1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDD23E60 INFINEON10+SOT-252èç¹åºäºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD15E60 INFINEON10+SOT-252èç¹åºäºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD09E60 INFINEON2010+PG-TO252-3å¿«æ¢å¤äºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD06E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA
IDD03E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 3,0 A; WENN (max): 7,3 A; IF,SM (max): 16,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB45E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 52,3 A; IF,SM (max): 117,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E120 INFINEON2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 50,0 A; IF,SM (max): 102,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB23E60 Infineon2010+SOT263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB18E120 Infineon2010+SOT2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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