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IDB18E120
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IDB18E120

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  • 产åå称ï1/41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
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IDB18E120  1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;

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IDD03E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 3,0 A; WENN (max): 7,3 A; IF,SM (max): 16,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB45E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 52,3 A; IF,SM (max): 117,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E120 INFINEON2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 50,0 A; IF,SM (max): 102,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB23E60 Infineon2010+SOT263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB12E120 Infineon2010+P-TO220-3-41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB09E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB09E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB06E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ

Infineonåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB12E120 Infineon2010+P-TO220-3-41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB09E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB09E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB06E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB04E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
ILP03N60 INFINEON11+TO-2203A,600V å ̄æ§ç¡
FZ1200R33KL2C INFINEON11+æ ̈¡å3300V IGBTæ ̈¡å,
IKW75N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW30N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW20N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW40N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW25N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW25T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW15T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW08T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
SAK-XE164KN-24F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæ管
SAK-XE164KN-16F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæ管
SAK-XE164KM-72F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæ管
SAK-XE164KM-48F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæ管

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