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IDB45E60
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IDB45E60

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  • 产åå称ï1/4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
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IDB45E60   600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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Artikel-Nr.: 1N5819 MIKROFON09+DO-41Artikel-Nr.: 1N5819
IDD09E60 INFINEON2010+PG-TO252-3å¿«æ¢å¤äºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD06E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA
IDD03E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 3,0 A; WENN (max): 7,3 A; IF,SM (max): 16,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 52,3 A; IF,SM (max): 117,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E120 INFINEON2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 50,0 A; IF,SM (max): 102,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB23E60 Infineon2010+SOT263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB18E120 Infineon2010+SOT2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais

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IDB30E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 52,3 A; IF,SM (max): 117,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E120 INFINEON2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 50,0 A; IF,SM (max): 102,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB23E60 Infineon2010+SOT263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB18E120 Infineon2010+SOT2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB12E120 Infineon2010+P-TO220-3-41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB09E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB09E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB06E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB04E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
ILP03N60 INFINEON11+TO-2203A,600V å ̄æ§ç¡
FZ1200R33KL2C INFINEON11+æ ̈¡å3300V IGBTæ ̈¡å,
IKW75N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW30N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW20N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW40N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW25N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW25T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW15T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管
IKW08T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæ管

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