ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿> èç¹åºäºæç®¡
IDB30E120
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IDB30E120

  • æå±ç±»å«ï1/4èç¹åºäºæç®¡
  • 产ååç§°ï1/41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 50,0 A; IF,SM (max): 102,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å°è£ ï1/4TO-263
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/412000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IDB30E120çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IDB30E1201200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 50,0 A; IF,SM (max): 102,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;

ä ̧IDB30E120ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IDD09E60 INFINEON2010+PG-TO252-3å¿«æ¢å¤äºæç®¡600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDD06E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA
IDD03E60 INFINEON2010+PG-TO252-3600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 3,0 A; WENN (max): 7,3 A; IF,SM (max): 16,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB45E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB30E60 INFINEON2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 52,3 A; IF,SM (max): 117,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB23E60 Infineon2010+SOT263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB18E120 Infineon2010+SOT2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB12E120 Infineon2010+P-TO220-3-41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB09E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
W-1-005-4STUD T&M24+DIPSERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen
ABBH2214SDAM AB Steckverbinder2024+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å°3/4管
Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
Nr. C195A/24EC-U2 æ²å°ç¹å®25+DIPæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
D-U204-E Mors Smitt24+DIPç¬æ¶ç»§çμå ̈
PW620-18d/2S/R/KS135 FSG24+DIPStellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W
P783-Q24-S5-S CUI Inc24+DIPDC DC WANDLER 5V 15W
9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
9001-18481C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
CIR013106T01031819SCNP0406 ITT Interconnect-Lösungen2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
CIR013106T01031819SCYP0406 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
110IMX35D12D12-8G Bel Power Lösungen24+ç»§çμå ̈DC-DC-WANDLER 12V 12V 12V 35W
SF400-1F æ³å1/2å©å¥24+ç»§çμå ̈STECKDOSENSOCKEL FÜR EISENBAHNEN - MONTAGEART H
UTS6JC10E6S SOURIAU-SONNENBANK23+è¿æ¥å ̈CONN PLUG FMALE 6P GOLD SLDR CUP
DPX2ME-A106SA106S-34B-0001 ITT22+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL-Steckverbinder
DPX2MEA106PA106P-33B-0401 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Conn Rack und Panel ARINC 404 SKT/SKT (106/106)Signal POS Crimp ST Panel
ACB1/PG-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
ACB1/BK-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER

INFINEONåçäº§åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IDB23E60 Infineon2010+SOT263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB18E120 Infineon2010+SOT2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB12E120 Infineon2010+P-TO220-3-41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB09E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB09E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB06E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB04E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
ILP03N60 INFINEON11+TO-2203A,600V å ̄æ§ç¡
FZ1200R33KL2C INFINEON11+æ ̈¡å3300V IGBTæ ̈¡å,
IKW75N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW30N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW20N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW40N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW25N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW25T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW15T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW08T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164KN-24F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164KN-16F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæç®¡

åç±»æ£ç'¢