ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿> åºæåºç®¡
IRFP260NPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRFP260NPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产ååç§°ï1/4åçåºæåºç®¡
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/411+
  • å°è£ ï1/4TO-247
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/40
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRFP260NPBFçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRFP260NPBF

åçåºæåºç®¡

ä ̧IRFP260NPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSC052N03S INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,2
BSC050N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 7,5
BSC042N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 5,4
BSC042N03LS INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC030N03LSGXT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 4,7

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
N/MS3108B20-4P JAE Elektronik2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, 4 Kontakt(e), Kunststoff, Stecker, Lötanschluss, Stecker
62IN-18F-10-6S Amphenol Corporation2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
NLS-N-BK-C70-M40BEPN250 ITT24+è¿æ¥å ̈NLS-N-BK-C70-M40B EPN250
V93BR Mors Smitt24+è¿æ¥å ̈V93BRæåº§-èºéç« ̄åï1/4è1/2 ̈éå 裮8æ
V17-D MORSSMITT24+ç»§çμå ̈ç»§çμå ̈æåº§æå1/4¹ç°§ç« ̄å
VGE1TS181900L SOURIAU-SONNENBANK24+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL Spec Endgehäuse BACKSHELL SZ18
KEYSTONE26 Keystone Elektronik24+è¿æ¥å ̈ÖSE 0,187" MESSING VERZINNT
KPSE06E14-19SA206 ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular SKT 19 POS Crimp ST Kabelhalterung 19 Klemme 1 Port
KPSE06J14-19P ITT24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder KPSE 19C 19#20 STIFT STECKER
W-1-005-4STUD T&M24+DIPSERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen
ABBH2214SDAM AB Steckverbinder2024+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å°3/4管
Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
Nr. C195A/24EC-U2 æ²å°ç¹å®25+DIPæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
D-U204-E Mors Smitt24+DIPç¬æ¶ç»§çμå ̈
PW620-18d/2S/R/KS135 FSG24+DIPStellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W
P783-Q24-S5-S CUI Inc24+DIPDC DC WANDLER 5V 15W
9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
9001-18481C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin

IRåçäº§åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF7469TRPBF IR10+SOP-840-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7469TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF8721PBF IR10+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF8721PBF mit Standardverpackung
IRLR7821TRPBF IR10+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR7821TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7309TRPBF IR10+SOP-830V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7309TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7220TRPBF IR10+SOP-8-12-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7220TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR9024NPBF IR10+TO-252HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A )
IRF8910TRPBF IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8910TR mit bleifreier Verpackung
IRF7478TRPBF IR10+SOP-8MOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFS17N20DTRLP IR10+TO-263200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFS17N20DTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF9540NSTRLPBF IR10+TO-263-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9540NS mit bleifreier Verpackung, die auf Tape and Reel Left geliefert wird.
IRF7101TR IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7101 mit Tape-and-Reel-Verpackungen
IRG4BH20K-SPBF IR10+D2-PAK1200 V ultraschneller diskreter IGBT mit 4-20 kHz in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4BH20K-S mit bleifreier Verpackung.
IRF7904TRPBF IR10+SOP-830-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7904PBF mit Tape-and-Reel-Verpackung.
IRF3315SPBF IR10+D2-pakHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR120NPBF IR10+TO-252Schnelles Umschalten
IRF6795MTR1PBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRLML5103TRPBF IR10+SOT-23-3-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung
IRFR9120NTRLPBF IR10+D PAK-100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7424TRPBF IR10+SOP-830-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6215PBF IR10+TO-220HEXFETâ Leistungs-MOSFET

åç±»æ£ç'¢