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Si7478DP
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Si7478DP

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Si7478DPNéé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET MOSFET, N, POLAR PAK; Transistortyp: MOSFET; Aktuell, Id cont:79A; Widerstand, Rds auf:0.0095R; Spannung, Vgs th typ:2,1V; Gehäuseform:POLAR PAK; Basis-Nummer:818; Ladung, Gate n-Kanal: 33nC; Strom, Idm-Impuls: 80A; Stromversorgung RoHS-konform: Ja

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Si7478DP VISHAY10+PBQFN8Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
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ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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SiE818DF VISHAY10+PBSOP-8Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET
Si7460DP VISHAY10+PBQFN-8Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET
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Si4483ADY VISHAY10+PBSOP-8P-Kanal 30-V (D-S) MOSFET Mit 3-kV ESD-Schutz VDS = -30V; VGS = ± 25V
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Si7850DP VISHAY10+PBSOT-23Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET
SI2301BDS VISHAY10+PBSOT-23NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
Si2307CDS VISHAY10+PBSOT-23NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
Si4425DDY VISHAY11+SOP-8åPæ²éï1/4é»è3/4å±æ¬¡ï1/4PowerTrenchTM MOSFET MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Drain-Source-Spannung, Vds:-30V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:-11A; On-Resistanc
Si4435DDY VISHAY11+SOP-8åPæ²éï1/4é»è3/4å±æ¬¡ï1/4çPowerTrench MOSFETç
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Si4953ADY VISHAY11+SOP-8åPæ²éSO-8 ä1/2RDSï1/4onï1/4MOSFET
Si4947ADY VISHAY11+SOP-8åPæ²é30 Vçï1/4å ̄ï1/4MOSFETç
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