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Si2306BDS
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Si2306BDS

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Si2306BDSNæ²éMOSFETï1/430Vï1/4D-Sï1/4MOSFET; Polarität des Transistors: N-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds: 30 V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:3,16A; Ein-Widerstand, Rds(Ein):0,094 Ohm; Rds(Ein) Prüfspannung, Vgs:10V; Gehäuse: SOT-23; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja

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