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SI2301BDS
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SI2301BDS

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SI2301BDS NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管 MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:-20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:-2,2A; Einschaltwiderstand, Rds(Ein):0,1 Ohm; Rds(Ein) Prüfspannung, Vgs:-4,5 V; Gehäuse: SOT-23; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja

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SI2301BDS VISHAY10+PBSOT-23NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
SI2301BDS-T1-E3 201204+SMD 
SI2301BDS-T1-E3 ROHM05+SOT163 

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

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Si2307CDS VISHAY10+PBSOT-23NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
Si4425DDY VISHAY11+SOP-8åPæ²éï1/4é»è3/4å±æ¬¡ï1/4PowerTrenchTM MOSFET MOSFET; Polarität des Transistors: P-Kanal; Drain-Source-Spannung, Vds:-30V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:-11A; On-Resistanc
Si4435DDY VISHAY11+SOP-8åPæ²éï1/4é»è3/4å±æ¬¡ï1/4çPowerTrench MOSFETç
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SI4485DY VISHAY11+SOP-8åPæ²éSO-8 ä1/2RDSï1/4onï1/4MOSFET
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Si4947ADY VISHAY11+SOP-8åPæ²é30 Vçï1/4å ̄ï1/4MOSFETç
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SF1200 VISHAY2011SOD-57è¶ å¿«éæ'æμå ̈
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GUFB15M VISHAY07+DO-151.5å®å¹è¶ å¿«çå1/4å ³MEGAGLEICHRICHTER 1.5 Ampere ULTRASCHNELL SCHALTENDE MEGAGLEICHRICHTER
BYV36A VISHAY07+SOD-57è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æ'æμå ©̈ï1/4Fast Recovery Power Rectifier; Nennstrom: 2A; Eigenschaften: Ultraschnelle Wiederherstellung; Durchlassstrom: 2A; Vorwärtsstrom Ø Re
BYV36B VISHAY07+SOD-57è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æ'æμå ©̈ï1/4Fast Recovery Power Rectifier; Nennstrom: 2A; Eigenschaften: Ultraschnelle Wiederherstellung; Durchlassstrom: 2A; Vorwärtsstrom Ø Re

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