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PHB33NQ20T
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PHB33NQ20T Næ²éTrenchMOSâ©æ åæ°'å¹³åºæåºç®¡  N-Kanal TrenchMOS(tm) Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 32,7 A; Qgd (typisch): 9,6 nC; RDS(ein): 77@10V mOhm; VDSmax: 200 V

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IRLML0030TRPBF IR11+SOT23-3å¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³
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BYT56A NXP (Englisch)2011SOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
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BYM36DGP NXP (Englisch)2011SOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYM36EGP NXP (Englisch)2011SOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4
BYM26D NXP (Englisch)07+SOD-64Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管)
BYM26E NXP (Englisch)07+SOD-64Axialverdrahtete, hermetisch abgedichtete, superschnelle Gleichrichterdiode (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管)
BYM26C NXP (Englisch)10+SOD-64å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4600Vçï1/4ï1/4 INNOLINE: RP50-S - Einzelausgänge bis 15A- Eingang/Ausgang 1,6kVDC Isolation- Einstellbare Ausgangsspannung - kein Minimum
BYV28-50 NXP (Englisch)07+SOD-64è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4

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