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IRLML0030TRPBF
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IRLML0030TRPBF å¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ uTrenchMOS (tm) FET mit erweitertem Logikpegel - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 4,7 A; Qgd (typisch): 1,9 nC; RDS(ein): 55@[email protected] mOhm; VDSmax: 30 V

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IRLML0030TRPBF IR11+SOT23-3å¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³

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Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)

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IRFBC20 IR2010+TO-220åçMOSFET (Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRF5210STRLPBF IR09+TO-263Nééåºæåºç®¡HEXFET Power MOSFET
IRF5210STRRPBF IR09+TO-263Nééåºæåºç®¡HEXFET Power MOSFET
IRF9530NSTRLPBF IR2010+TO-263100V Nééåºæåºç®¡-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9530NSTRL mit bleifreier Verpackung
IRF9530NSPBF IR2010+TO-263Nééåºæåºç®¡ Advanced Process Technology Surface Mount
IRF9520NSTRRPBF IR2010+D2 PAK100V Nééåºæåºç®¡ -100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9520NSTRR mit bleifreier Verpackung
IRF9520NSTRLPBF IR2010+TO-263Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET
IRF9520NSPBF IR2010+D2-pakNééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET
IRF6218PBF IR2010+TO-220Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET
IRF6216PBF IR2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF6216 mit Standardverpackung
IR1150IPBF IR10+DIP-8IR1150IPBF,åºæåºç®¡
8ETH06PBF IR07+TO-2208ETH06PBF,æ'æμå ̈ ,Hyperschneller Gleichrichter
IRFP260NPBF IR11+TO-247åçåºæåºç®¡
IRF7469TRPBF IR10+SOP-840-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7469TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF8721PBF IR10+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF8721PBF mit Standardverpackung
IRLR7821TRPBF IR10+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR7821TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7309TRPBF IR10+SOP-830V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7309TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7220TRPBF IR10+SOP-8-12-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7220TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR9024NPBF IR10+TO-252HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A )
IRF8910TRPBF IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8910TR mit bleifreier Verpackung

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