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IRF6216PBF
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IRF6216PBF

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IRF6216PBF Nééåºæåºç®¡ -150 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF6216 mit Standardverpackung

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IRF6216PBF IR2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF6216 mit Standardverpackung

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
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RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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IR1150IPBF IR10+DIP-8IR1150IPBF,åºæåºç®¡
8ETH06PBF IR07+TO-2208ETH06PBF,æ'æμå ̈ ,Hyperschneller Gleichrichter
IRFP260NPBF IR11+TO-247åçåºæåºç®¡
IRF7469TRPBF IR10+SOP-840-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7469TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF8721PBF IR10+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF8721PBF mit Standardverpackung
IRLR7821TRPBF IR10+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR7821TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7309TRPBF IR10+SOP-830V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7309TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7220TRPBF IR10+SOP-8-12-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7220TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR9024NPBF IR10+TO-252HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A )
IRF8910TRPBF IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8910TR mit bleifreier Verpackung
IRF7478TRPBF IR10+SOP-8MOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFS17N20DTRLP IR10+TO-263200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFS17N20DTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF9540NSTRLPBF IR10+TO-263-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9540NS mit bleifreier Verpackung, die auf Tape and Reel Left geliefert wird.
IRF7101TR IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7101 mit Tape-and-Reel-Verpackungen
IRG4BH20K-SPBF IR10+D2-PAK1200 V ultraschneller diskreter IGBT mit 4-20 kHz in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4BH20K-S mit bleifreier Verpackung.
IRF7904TRPBF IR10+SOP-830-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7904PBF mit Tape-and-Reel-Verpackung.
IRF3315SPBF IR10+D2-pakHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR120NPBF IR10+TO-252Schnelles Umschalten
IRF6795MTR1PBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRLML5103TRPBF IR10+SOT-23-3-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung

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