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NTP75N03L09
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NTP75N03L09

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  • 产åå称ï1/4Leistung MOSFET 75Ampere, 30Volt (75Aï1/430VåçMOSFET)
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NTP75N03L09Leistung MOSFET 75Ampere, 30Volt (75Aï1/430VåçMOSFET)

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NTMFS4744NT1G AUF11+SO-8FLeistungs-MOSFET 30 V, 53 A, einfacher N-Kanal, SO-8 FL; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 1500
NTMS4705NR2G AUF11+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 12 A, Einkanal SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTP30N20G AUF2010+TO-220Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter:
NTP35N15G AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt, N-Kanal TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTP45N06G AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 45 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTR4003NT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT1G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT3G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4108NT1G AUF2010+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 35 A, einkanaliges SO-8-Flachleitungsgehäuse; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro C
NTMFS4119NT3G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

ONåç产åæ ̈è


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NTR4003NT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT1G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT3G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4108NT1G AUF2010+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 35 A, einkanaliges SO-8-Flachleitungsgehäuse; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro C
NTMFS4119NT3G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
NTMFS4119NT1G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
MGSF1N02LT1 AUF2010+SOTâ23Leistungs-MOSFET 30 V, 2,1 A, Single N Channel, SOT23 (30V,2.1A,Næ²é,SOT23å°è£ åçMOSFET)
NTR4501NT1G AUF2014+SOTâ23Leistungs-MOSFET 20 V, 3,2 A, Single NâChannel, SOTâ23
NTMFS4921NT1G AUF2010+QFNLeistungs-MOSFET 30V 58,5A 6,95 mOhm Single N-Kanal SO-8FL
NTMFS4946NT1G AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
NTMFS4946N AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
2N7002ET1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002ET3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002LT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
BSS138LT1G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
BSS138LT3G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
MMBF170LT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)
MMBF170LT3G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)

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