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NTP45N06G
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NTP45N06G

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  • 产åå称ï1/4Leistung MOSFET 45 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
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NTP45N06GLeistung MOSFET 45 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50

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NTLMS4504N AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET 30 V, 53 A, einfacher N-Kanal, SO-8 FL; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 1500
NTMFS4744NT1G AUF11+SO-8FLeistungs-MOSFET 30 V, 53 A, einfacher N-Kanal, SO-8 FL; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 1500
NTMS4705NR2G AUF11+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 12 A, Einkanal SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTP30N20G AUF2010+TO-220Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter:
NTP35N15G AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt, N-Kanal TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTP75N03L09 AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 75Ampere, 30Volt (75Aï1/430VåçMOSFET)
NTR4003NT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT1G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT3G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4108NT1G AUF2010+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 35 A, einkanaliges SO-8-Flachleitungsgehäuse; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro C

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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NTP75N03L09 AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 75Ampere, 30Volt (75Aï1/430VåçMOSFET)
NTR4003NT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT1G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT3G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4108NT1G AUF2010+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 35 A, einkanaliges SO-8-Flachleitungsgehäuse; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro C
NTMFS4119NT3G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
NTMFS4119NT1G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
MGSF1N02LT1 AUF2010+SOTâ23Leistungs-MOSFET 30 V, 2,1 A, Single N Channel, SOT23 (30V,2.1A,Næ²é,SOT23å°è£ åçMOSFET)
NTR4501NT1G AUF2014+SOTâ23Leistungs-MOSFET 20 V, 3,2 A, Single NâChannel, SOTâ23
NTMFS4921NT1G AUF2010+QFNLeistungs-MOSFET 30V 58,5A 6,95 mOhm Single N-Kanal SO-8FL
NTMFS4946NT1G AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
NTMFS4946N AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
2N7002ET1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002ET3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002LT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
BSS138LT1G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
BSS138LT3G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
MMBF170LT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)

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