ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
NTP30N20G
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

NTP30N20G

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter:
  • ååï1/4AUF
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å°è£ ï1/4TO-220
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找NTP30N20Gçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

NTP30N20G Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50

ä ̧NTP30N20Gç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
NTD78N03T4G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET 25 V, 78 A, Single N-Kanal, DPAK; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Con
NTLMS4502N AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET 30 V, 53 A, einfacher N-Kanal, SO-8 FL; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 1500
NTLMS4504N AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET 30 V, 53 A, einfacher N-Kanal, SO-8 FL; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 1500
NTMFS4744NT1G AUF11+SO-8FLeistungs-MOSFET 30 V, 53 A, einfacher N-Kanal, SO-8 FL; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 1500
NTMS4705NR2G AUF11+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 12 A, Einkanal SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTP35N15G AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt, N-Kanal TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTP45N06G AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 45 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTP75N03L09 AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 75Ampere, 30Volt (75Aï1/430VåçMOSFET)
NTR4003NT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT1G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

ONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
NTP35N15G AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt, N-Kanal TO-220; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTP45N06G AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 45 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTP75N03L09 AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 75Ampere, 30Volt (75Aï1/430VåçMOSFET)
NTR4003NT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT1G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4833NT3G AUF2010+SO8FLLeistungs-MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Kanal, SO-8 FL
NTMFS4108NT1G AUF2010+SO-8Leistungs-MOSFET 30 V, 35 A, einkanaliges SO-8-Flachleitungsgehäuse; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro C
NTMFS4119NT3G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
NTMFS4119NT1G AUF2010+QFN8Leistungs-MOSFET 30 V, 30 A, einkanalige SO-8-Flachleitung; Gehäuse: SO8FL / DFN6 5x6, 1,27P; Anzahl der Pins: 6; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter
MGSF1N02LT1 AUF2010+SOTâ23Leistungs-MOSFET 30 V, 2,1 A, Single N Channel, SOT23 (30V,2.1A,Næ²é,SOT23å°è£ åçMOSFET)
NTR4501NT1G AUF2014+SOTâ23Leistungs-MOSFET 20 V, 3,2 A, Single NâChannel, SOTâ23
NTMFS4921NT1G AUF2010+QFNLeistungs-MOSFET 30V 58,5A 6,95 mOhm Single N-Kanal SO-8FL
NTMFS4946NT1G AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
NTMFS4946N AUF2010+SO-8FLLeistungs-MOSFET, 30-V-Einzel-N-CH-SO8FL-Gehäuse
2N7002ET1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002ET3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT1G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002KT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002LT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
BSS138LT1G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·