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MMBF170LT3G
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MMBF170LT3G

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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)
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MMBF170LT3GLeistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)

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2N7002KT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
2N7002LT3G AUF2010+SOT-23Kleinsignal-MOSFET 60 V, 115 mA, NâKanal SOTâ23
BSS138LT1G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
BSS138LT3G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 200 mAmpere, 50 Volt N-Kanal SOT-23 (200mA,50Vï1/4N-æ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4SOT-23å°è£ ï1/4)
MMBF170LT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET 500 mA, 60 V N-Kanal SOT23 (500mA,60V,SOT23,Næ²éåçMOSFET)
NTMS4176PR2G AUF2010+SOP-8-30V, -9.6.A, P-CH, SO-8
NTMD4840NR2G AUF2010+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 7,5 A, Dual-N-Kanal
NTR4101PT1G AUF2014+SOT-23Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23
NTR4101PXXG AUF2010+SOT-23Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23
NTR4101PXXH AUF2010+SOT-23Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

ONåç产åæ ̈è


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NTMS4176PR2G AUF2010+SOP-8-30V, -9.6.A, P-CH, SO-8
NTMD4840NR2G AUF2010+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 7,5 A, Dual-N-Kanal
NTR4101PT1G AUF2014+SOT-23Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23
NTR4101PXXG AUF2010+SOT-23Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23
NTR4101PXXH AUF2010+SOT-23Trench Power MOSFET â20 V, Single PâChannel, SOTâ23
NTR4502PT1G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET -30 V, -1,95 A, Single, P-Kanal SOT-23; Gehäuse: SOT-23 (TO-236) 3-POLIG; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter: 100
NTR4502PT3G AUF2010+SOT-23Leistungs-MOSFET -30 V, -1,95 A, Single, P-Kanal SOT-23; Gehäuse: SOT-23 (TO-236) 3-POLIG; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Behälter: 100
NTMS4177P AUF2010+SOP-8Leistung MOSFET 30V 11,4 A 19 mOhm Single P-Kanal SO-8
MMSF7P03HD AUF2010+SOP-8Leistungs-MOSFET 7 A, 30 V, P-Kanal SO8 (7Aï1/430Vï1/4Pæ²éåçMOSFET)
MMSF3P02HD AUF2010+SOP-8åçMOSFET 3å®å¹ï1/420ä1/4ç¹Pæ²éæ¡ç¬¬ï1/43Aï1/420Vçï1/4Pæ²éå¢å1/4ºååç马éå±±åºæåºç®¡ï1/4
NTMD3P03R2 AUF2010+SOP-8Leistung MOSFET -3,05 Ampere, -30 Volt PâChannel SOâ8 (-3,05 A, -30 Vï1/4PééSO-8è£ çåçMOSFET)
NTMS3P03R2 AUF2010+SOP-8Leistung MOSFET -3,05 Ampere, -30 Volt PâChannel SOâ8 (-3,05 A, -30 Vï1/4PééSO-8è£ çåçMOSFET)
MC79M12BDT AUF09+SOT-252500æ ̄«å®è'çμåè°èå ̈
NTMS4107NR2G AUF11+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 18 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS4503NR2G AUF11+SOP-8Leistungs-MOSFET 28 V, 14 A, N-Kanal, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS4706NR2 AUF11+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS4706NR2G AUF11+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS7N03R2 AUF11+SOP-8Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS7N03R2G AUF11+SOP-8Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NDT2955 AUF10+SOT-223P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-2.5Aï1/4-60Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-2.5A, æ1/4æºçμå-60Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)

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