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NTMS4706NR2
| AUF | 11+ | SOP-8 | Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
NTMS4706NR2G
| AUF | 11+ | SOP-8 | Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
NTMS7N03R2
| AUF | 11+ | SOP-8 | Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
NTMS7N03R2G
| AUF | 11+ | SOP-8 | Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
NDT2955
| AUF | 10+ | SOT-223 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-2.5Aï1/4-60Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-2.5A, æ1/4æºçμå-60Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4) |
MC1496D
| AUF | 10+ | SOP14 | 平衡è°å¶å ̈/解è°å ̈ |
Artikel-Nr.: 1N5807
| AUF | 10+ | SOT23 | è¡ ̈é¢è''è£ æ°å ̄å ̄å°è¶ å¿«æ'æμäºæ管ï1/4ååçμå100Vçï1/4å¹³åæ£åçμæμ6Aæ¡ï1/4è¡ ̈è''å°è£ ï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢âå¤æ'æμäºæ管ï1/4 |
RCLAMP0504S. TCT-ROLLE
| AUF | 10+ | SOT163 | IC TVS ARRAY MIT NIEDRIGER KAPPE SOT23-6 |
AD8541ARTZ-ROLLE
| AUF | 10+ | SOT23-5 | éç ̈CMOSè1/2 ̈å°è1/2 ̈æ3/4大å ̈ Allzweck-CMOS-Rail-to-Rail-Verstärker |
MC78M12CDTRKG
| AUF | 10+ | SOT-252 | 500æ ̄«å®æ£çμåç ̈³åå ̈ 5.1Vout 1.5Amp Wide-Input Positive Step-Down ISR 3-SIP MODUL |
MMSZ4685T1G
| AUF | 10+ | SOD-123 | Zener-Spannungsregler 500 mW SODâ123 Oberflächenmontage |
MMSZ4679T1G
| AUF | 2010 | SOD-123 | Zener-Spannungsregler 500 mW SODâ123 Oberflächenmontage |
MMBT4401LT1G
| AUF | 10+ | SOT-23 | åæåå°ä¿¡å·æ¶ä1/2管 |
NUP4301
| AUF | 09+ | SOT-163 | ä1/2çμ容äºæç¡éμåï1®/4å ̈4æ¡æ°æ®çº¿è· ̄ESDä¿æ¤ |
MJE13009
| AUF | 10+ | TO-220 | é«åå¿«éNPNçμæºå1/4å ³æ¶ä1/2管 |
BD236
| AUF | 10+ | TO-126 | PNP Epitaktischer Siliziumtransistor (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管) |
Nr. BD234
| AUF | 10+ | TO-126 | PNP Epitaktischer Siliziumtransistor (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管) |
Nr. BD238
| AUF | 10+ | TO-126 | PNP Epitaktischer Siliziumtransistor (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管) |
MJE800
| AUF | 2010+ | TO-126F | Darlington Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren aus Kunststoff(äºè¡¥åè3/43/4æé¡¿ç¡ åçæ¶ä1/2管) |
BD682
| AUF | 2010+ | TO-126F | Kunststoff Medium-Power Silizium PNP Darlington(4,0A,40Wï1/460V,å¡æï1/4ä ̧çåçç¡ PNPè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管) |