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NTMS4706NR2
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NTMS4706NR2

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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
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NTMS4706NR2Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500

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NTMS4706NR2 AUF11+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS4706NR2G AUF11+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500

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NTMS4706NR2G AUF11+SOP-8Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS7N03R2 AUF11+SOP-8Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NTMS7N03R2G AUF11+SOP-8Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
NDT2955 AUF10+SOT-223P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-2.5Aï1/4-60Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-2.5A, æ1/4æºçμå-60Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)
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Artikel-Nr.: 1N5807 AUF10+SOT23è¡ ̈é¢è''è£ æ°å ̄å ̄å°è¶ å¿«æ'æμäºæ管ï1/4ååçμå100Vçï1/4å¹³åæ£åçμæμ6Aæ¡ï1/4è¡ ̈è''å°è£ ï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢âå¤æ'æμäºæ管ï1/4
RCLAMP0504S. TCT-ROLLE AUF10+SOT163IC TVS ARRAY MIT NIEDRIGER KAPPE SOT23-6
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MJE13009 AUF10+TO-220é«åå¿«éNPNçμæºå1/4å ³æ¶ä1/2管
BD236 AUF10+TO-126PNP Epitaktischer Siliziumtransistor (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管)
Nr. BD234 AUF10+TO-126PNP Epitaktischer Siliziumtransistor (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管)
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MJE800 AUF2010+TO-126FDarlington Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren aus Kunststoff(äºè¡¥åè3/43/4æé¡¿ç¡ åçæ¶ä1/2管)
BD682 AUF2010+TO-126FKunststoff Medium-Power Silizium PNP Darlington(4,0A,40Wï1/460V,å¡æï1/4ä ̧çåçç¡ PNPè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
Nr. BD678 AUF2010+TO-126FKunststoff Medium-Power Silizium PNP Darlington(4,0A,40Wï1/460V,å¡æï1/4ä ̧çåçç¡ PNPè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)

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