μ > การพิจารณา > การพิจารณา®
IPI12CN10N
3/4
Ƭ¢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IPI12CN10N

  • æå±ç±»å«ï1/4การพิจารณา®
  • 1/4· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 12.9 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด
  • 1/4อินฟิเนียน
  • 1/42010+
  • å°è£ ï1/4ถึง -262
  • 1/4Æåºå
  • 1/416000
  • 1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IPI12CN10Nçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • ĺ§åä»ç»

IPI12CN10N åçæ¶ä1/2管N-Channel MOSFET (20V... 250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 12.9 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@4.5V): -; ID (สูงสุด): 67.0 A;

ä ̧IPI12CN10N1/4


·ååหมายเหตุå°è£È ̄'æ
IPI26CN10N อินฟิเนียน2010+พีจี-TO262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 26.0 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด
IPI16CNE8N อินฟิเนียน2010+พีจี-TO262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 85.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 16.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI16CN10N อินฟิเนียน2010+พีจี-TO262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 16.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด
IPI14N03LA อินฟิเนียน2010+พีจี-TO262-3MULTI® DVI ตัวรับสัญญาณแบบโซ่ได้แบบเดซี่ -ไฟเบอร์
IPI12CNE8N อินฟิเนียน2010+พีจี-TO262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 85.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 12.6 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI11N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง -262ข้อควรระวัง®
IPI09N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3ข้อควรระวัง®
IPI08CNE8N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 8.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI08CN10N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 8.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI06N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: P-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 6.2 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด) (

çé ̈æç'¢


·ååหมายเหตุå°è£È ̄'æ
621N-18F-10-6S แอมฟีนอล คอร์ปอเรชั่น24+è¿æ¥å ̈ปลั๊กคอนเนคเตอร์แบบวงกลมขนาด 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+1/41/4 1/4 1/4/4/4/2
ดี-ยู 307-เคแอลเอส มอร์ส สมิทท์24+继çμå ̈รีเลย์ - ปลั๊กอิน 4 ขั้ว คอยล์ AC
ทีดีบี 4-U204-ซี มอร์ส สมิทท์24+继çμå ̈Å»¶æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 ตัวเชื่อมต่อ AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 ตัวเชื่อมต่อ AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 ตัวเชื่อมต่อ AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 ตัวเชื่อมต่อ AB24+è¿æ¥å ̈AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000 / 115-230P เอบีบี24+Ååå ̈การควบคุมเฟสเดียวและหม้อแปลงแยก
C25-1AX-H13-N-HB-L ไห่มู24+Ƨå¶ææƧå¶ææ
F3069F25V เรเนซัส23+คิวเอฟพี 100IC MCU 16BIT 512KB แฟลช 100QFP
S3T-R-F5 ดาต้าลอจิก22+จุ่มโฟโตอิเล็กทริกเซนเซอร์
M393A8G40BB4-ซีดับเบิลยูอี ซัมซุง21+บีจีเอซัมซุง 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(เจ,เอฟ) โต ชิ บา21+จุ่มออปโตคัปเปลอร์ DC-IN 1-CH ทรานซิสเตอร์พร้อมฐานรอง/แผ่น
D-U204-เอลค์ มอร์ส สมิทท์24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 ซูเรียว-ซันแบงก์2023+è¿æ¥å ̈หน้าสัมผัสแบบวงกลมมาตรฐาน Crimp Socket Contact 16-20 AWG
CM300DY-24J มิตซูบิชิ2021+การพิจารณามิตซูบิชิ อิเล็คทริค 1200 V 300 IGB แบตเตอรี่, PCB, Néé
CM300DY-24 ปี มิตซูบิชิ2021+การพิจารณามิตซูบิชิ อิเล็คทริค 1200 V 300 IGB แบตเตอรี่, PCB, Néé
PT02E10-6 วินาที การดําเนินงานของแอมฟีนอล24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS ถ้วยประสาน
KP02A14-15 วินาที แอมฟีนอล คอร์ปอเรชั่น24+è¿æ¥å ̈คอนเนคเตอร์แบบวงกลม, เต้ารับ, ขนาด 14, 15 ตําแหน่ง, กล่อง, ช่วงผลิตภัณฑ์:Pt Series,

INFINEONåç产åæ ̈è ̈è


·ååหมายเหตุå°è£È ̄'æ
IPI11N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง -262ข้อควรระวัง®
IPI09N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3ข้อควรระวัง®
IPI08CNE8N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 8.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI08CN10N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 8.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI06N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: P-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 6.2 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด) (
IPI06CNE8N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 6.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI06CN10N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 6.5 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI05N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: P-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 4.9 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด) (
IPI05CNE8N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 85.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 5.4 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI05CN10N อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 100.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 5.4 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPI04N03LA อินฟิเนียน2010+ถึง 262-3· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: P-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 4.2 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด) (
IPI03N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO262-3; แพคเกจ: I2PAK (TO-262); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 3.0 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด)
IPFH6N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO252-3; แพคเกจ: ย้อนกลับ DPAK (ย้อนกลับ TO-252); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 12.8 mOhm;
IPF13N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO252-3; แพคเกจ: ย้อนกลับ DPAK (ย้อนกลับ TO-252); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 12.8 mOhm;
IPF10N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO252-3; แพคเกจ: ย้อนกลับ DPAK (ย้อนกลับ TO-252); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 10.4 mOhm;
IPF09N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO252-3; แพคเกจ: ย้อนกลับ DPAK (ย้อนกลับ TO-252); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 8.8 มิลลิโอห์ม;
IPF06N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252ขั้วต่อ®แบบวงกลม วัสดุตัวเครื่อง:อลูมิเนียม; ชุด:PT06; จํานวนผู้ติดต่อ: 61; ขนาดเปลือกตัวเชื่อมต่อ: 24; การเชื่อมต่อการสิ้นสุด: จีบ; กลม
IPF05N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO252-3; แพคเกจ: ย้อนกลับ DPAK (ย้อนกลับ TO-252); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 5.3 mOhm;
IPF04N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO252-3; แพคเกจ: ย้อนกลับ DPAK (ย้อนกลับ TO-252); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 4.0 mOhm;
IPDH9N03LA อินฟิเนียน2010+SOT-252· N-Channel® MOSFET (20Vâ¦250V); แพคเกจ: PG-TO252-3; แพคเกจ: DPAK (TO-252); VDS (สูงสุด): 25.0 V; RDS (เปิด) (สูงสุด) (@10V): 9.2 mOhm; RDS (เปิด) (สูงสุด) (

åç±»æ£ç'¢

ลิขสิทธิ์ chip100.com 2010-2011© MCCT粤ICPå¤14056028å·