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FDS5682
| FAIRCHILD | 2010+ | SOIC-8 | 60V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: SOIC; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel |
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FDS5670
| FAIRCHILD | 2010+ | SOIC-8 | 60V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: SOIC; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel |
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FDS4410A
| FAIRCHILD | 2010+ | SOIC-8 | 30-V-Single-N-Kanal-PowerTrench-MOSFET mit Logikpegel; Gehäuse: SOIC; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel |
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FDS3692
| FAIRCHILD | 2010+ | SOP-8 | Diskreter kommerzieller N-Kanal-UltraFET-Trench-MOSFET, 100 V, 4,5 A, 0,060 Ohm @ Vgs = 10 V, SO-8-Gehäuse; Gehäuse: SOIC; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Klebeband & |
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FDP8896
| FAIRCHILD | 2010+ | TO-220 | 30V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220AB; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene |
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FDP8880
| FAIRCHILD | 2010+ | TO-220 | 30V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220AB; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene |
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FDP8876
| FAIRCHILD | 2010+ | TO-220 | Næ²éçPowerTrench MOSFET |
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FDP8874
| FAIRCHILD | 2010+ | TO-220 | 30V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220AB; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene |
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FDP8870
| FAIRCHILD | 2010+ | TO-220 | Næ²éçPowerTrench MOSFETç30Vçï1/4156Aï1/44.1mз |
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FDP75N08
| FAIRCHILD | 10+ | TO-220 | 75VçNæ²éMOSFET |
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FDP6030BL
| FAIRCHILD | 10+ | TO-220 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET (Næ²éé»è3/4çμå¹³PowerTrench MOSåºæåºç®¡) |
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FOD817C3SD
| Fairchild | 10+ | SOP-4 | 4-poliger DIP-Fototransistor-Ausgangs-Optokoppler; Gehäuse: SMDIP-B; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Tape & Reel |
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MMBD1503A
| FAIRCHILD | 2011+ | SOT-23 | Diode mit hohem Leitwert und geringer Leckage; Gehäuse: SOT-23; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel |
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NDT452AP
| FAIRCHILD | 10+ | SOT223 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-5Aï1/4-30Vï1/40.065Ωï1/4(Pæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-5A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.065Ωï1/4) |
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BZX84-C15
| FAIRCHILD | 10+ | SOT-23 | çμåè°èå ̈äºæ管 |
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FDP39N20
| FAIRCHILD | 11+ | TO-220 | 200ä1/4Næ²éMOSFET |
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FDP060AN08A0
| FAIRCHILD | 11+ | TO-220 | Diskreter N-Kanal-PowerTrench-MOSFET für die Automobilindustrie, 75 V, 80 A, 0,006 Ohm @ VGS = 10 V, TO-220AB-Gehäuse; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Rai |
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FDP047AN08A0
| FAIRCHILD | 11+ | TO-220 | 75V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Rai |
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FDP038AN06A0
| FAIRCHILD | 11+ | TO-220 | Diskreter N-Kanal-PowerTrench-MOSFET für die Automobilindustrie, 60 V, 80 A, 0,0038 Ohm @ VGS = 10 V, TO-220-Gehäuse; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene |
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FDP031N08
| FAIRCHILD | 11+ | SOT23-3 | Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管 |