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FOD817C3SD 4-poliger DIP-Fototransistor-Ausgangs-Optokoppler; Gehäuse: SMDIP-B; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Tape & Reel

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FDP75N08 FAIRCHILD10+TO-22075VçNæ²éMOSFET
FDP6030BL FAIRCHILD10+TO-220N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET (Næ²éé»è3/4çμå¹³PowerTrench MOSåºæåºç®¡)
RCLAMP0504S. TCT-ROLLE AUF10+SOT163IC TVS ARRAY MIT NIEDRIGER KAPPE SOT23-6
AD8541ARTZ-ROLLE AUF10+SOT23-5éç ̈CMOSè1/2 ̈å°è1/2 ̈æ3/4大å ̈ Allzweck-CMOS-Rail-to-Rail-Verstärker
MC78M12CDTRKG AUF10+SOT-252500æ ̄«å®æ£çμåç ̈³åå ̈ 5.1Vout 1.5Amp Wide-Input Positive Step-Down ISR 3-SIP MODUL
SN74LVC8T245PWR NSC10+TSSOP248-Bit-Bus-Transceiver mit Dual-Supply, konfigurierbarer Spannungsumwandlung und dreistufigen Ausgängen 24-TSSOP -40 bis 85
LM3881MM NSC10+MSOP-8LM3881 Power-Sequenzer; Gehäuse: MINI SOIC; Anzahl der Pins: 8; Menge pro Container: 250; Behälter: Rolle
ADM3202ARUZ INSERAT1016+TSSOPé«éã2声éRS232 / 28èæ¥å£è£ ç1/2®Hochgeschwindigkeits-RS232/V.28-Schnittstellengeräte mit 2 Kanälen
TC7660SEOA713 MIKROCHIP2011+SOP8Hochspannungs-DC/DC-Wandler, -40C bis +85C, 8-SOIC 150mil, T/R
K9F2G08U0A-PIBO SAMSUNG1028+TSOPéªåFLASH-SPEICHER

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
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Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
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MMBD1503A FAIRCHILD2011+SOT-23Diode mit hohem Leitwert und geringer Leckage; Gehäuse: SOT-23; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
NDT452AP FAIRCHILD10+SOT223P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-5Aï1/4-30Vï1/40.065Ωï1/4(Pæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-5A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.065Ωï1/4)
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FDP060AN08A0 FAIRCHILD11+TO-220Diskreter N-Kanal-PowerTrench-MOSFET für die Automobilindustrie, 75 V, 80 A, 0,006 Ohm @ VGS = 10 V, TO-220AB-Gehäuse; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Rai
FDP047AN08A0 FAIRCHILD11+TO-22075V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Rai
FDP038AN06A0 FAIRCHILD11+TO-220Diskreter N-Kanal-PowerTrench-MOSFET für die Automobilindustrie, 60 V, 80 A, 0,0038 Ohm @ VGS = 10 V, TO-220-Gehäuse; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP031N08 FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDN5630 FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDN359BN FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDN357N FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDMS8670S FAIRCHILD11+QFN8Næ²éçPowerTrenchã¢å1/4SyncFETâ©
FDMS8670AS FAIRCHILD11+QFN-8Næ²éçPowerTrenchã¢å1/4SyncFETâ©
FDMC8878 FAIRCHILD11+DFN8Næ²éåçæ²éMOSFET 30Vçï1/416.5Aï1/414mohm
FDMC8296 FAIRCHILD11+PQFN-830V N-Kanal Power Trench-MOSFET; Gehäuse: Power 33 (PQFN); Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
FDM6296 FAIRCHILD11+MLP-8åä ̧ªN -æ²éé»è3/4çμå¹³çPowerTrench MOSFETç30Vçã¢ï1/411.5Aï1/410.5ã
FDI038AN06A0 FAIRCHILD11+TO-262Næ²éçPowerTrench MOSFETç60Vç80Aï1/43.8mз
FDH3632 FAIRCHILD11+TO-247Næ²éçPowerTrench MOSFET
FDH047AN08A0 FAIRCHILD11+TO-247Næ²éçPowerTrench MOSFETç75Vçï1/480Aï1/44.7mз
FDH038AN08A1 FAIRCHILD11+TO-247Næ²éçPowerTrench MOSFETç

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