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FDP8876

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  • 产åå称ï1/4Næ²éçPowerTrench MOSFET
  • ååï1/4FAIRCHILD
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
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FDP8876 Næ²éçPowerTrench MOSFET

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88767-0600 Molex10+ 88767-0600
PMB8876V2.1-G Infineon08+BGA (Englisch)åè£
FDS8876 FAIRCHILD2010+SOP830V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SO-8; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
FDP8876 FAIRCHILD2010+TO-220Næ²éçPowerTrench MOSFET

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HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH

FAIRCHILDåç产åæ ̈è


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FDP8874 FAIRCHILD2010+TO-22030V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220AB; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP8870 FAIRCHILD2010+TO-220Næ²éçPowerTrench MOSFETç30Vçï1/4156Aï1/44.1mз
FDP75N08 FAIRCHILD10+TO-22075VçNæ²éMOSFET
FDP6030BL FAIRCHILD10+TO-220N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET (Næ²éé»è3/4çμå¹³PowerTrench MOSåºæåºç®¡)
FOD817C3SD Fairchild10+SOP-44-poliger DIP-Fototransistor-Ausgangs-Optokoppler; Gehäuse: SMDIP-B; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Tape & Reel
MMBD1503A FAIRCHILD2011+SOT-23Diode mit hohem Leitwert und geringer Leckage; Gehäuse: SOT-23; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
NDT452AP FAIRCHILD10+SOT223P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-5Aï1/4-30Vï1/40.065Ωï1/4(Pæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-5A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.065Ωï1/4)
BZX84-C15 FAIRCHILD10+SOT-23çμåè°èå ̈äºæ管
FDP39N20 FAIRCHILD11+TO-220200ä1/4Næ²éMOSFET
FDP060AN08A0 FAIRCHILD11+TO-220Diskreter N-Kanal-PowerTrench-MOSFET für die Automobilindustrie, 75 V, 80 A, 0,006 Ohm @ VGS = 10 V, TO-220AB-Gehäuse; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Rai
FDP047AN08A0 FAIRCHILD11+TO-22075V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Rai
FDP038AN06A0 FAIRCHILD11+TO-220Diskreter N-Kanal-PowerTrench-MOSFET für die Automobilindustrie, 60 V, 80 A, 0,0038 Ohm @ VGS = 10 V, TO-220-Gehäuse; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP031N08 FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDN5630 FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDN359BN FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDN357N FAIRCHILD11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管
FDMS8670S FAIRCHILD11+QFN8Næ²éçPowerTrenchã¢å1/4SyncFETâ©
FDMS8670AS FAIRCHILD11+QFN-8Næ²éçPowerTrenchã¢å1/4SyncFETâ©
FDMC8878 FAIRCHILD11+DFN8Næ²éåçæ²éMOSFET 30Vçï1/416.5Aï1/414mohm
FDMC8296 FAIRCHILD11+PQFN-830V N-Kanal Power Trench-MOSFET; Gehäuse: Power 33 (PQFN); Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel

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