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IDB09E60	Infineon	2010+	600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;	æåºå	è ̄¢ä»·
IDB09E120	Infineon	2010+	1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;	æåºå	è ̄¢ä»·
IDB06E60	Infineon	2010+	600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;	æåºå	è ̄¢ä»·
IDB04E120	Infineon	2010+	1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;	æåºå	è ̄¢ä»·
MBRF2060CT	AUF	10+	ééå¡æèç¹åºæ'æμ	æåºå	è ̄¢ä»·