ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿> æ'æμäºæç®¡
IDB09E60
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IDB09E60

  • æå±ç±»å«ï1/4æ'æμäºæç®¡
  • 产ååç§°ï1/4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
  • ååï1/4Infineon
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å°è£ ï1/4TO-263
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/412000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IDB09E60çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IDB09E60 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;

ä ̧IDB09E60ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IDB30E120 INFINEON2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 50,0 A; IF,SM (max): 102,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB23E60 Infineon2010+SOT263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB18E120 Infineon2010+SOT2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB15E60 Infineon2010+P-TO220-3-4600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB12E120 Infineon2010+P-TO220-3-41200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB09E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB06E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB04E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
ID82C52 INTERSIL2010+CDIP-28CMOSä ̧²è¡æ§å¶å ̈æ¥å£ CMOS Serial Controller Interface
ICL7667MJA/883B INTERSIL2010+DIP-8åçμæºMOSFET驱å ̈å ̈ Dual Power MOSFET-Treiber

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W
P783-Q24-S5-S CUI Inc24+DIPDC DC WANDLER 5V 15W
9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
9001-18481C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
CIR013106T01031819SCNP0406 ITT Interconnect-Lösungen2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
CIR013106T01031819SCYP0406 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
110IMX35D12D12-8G Bel Power Lösungen24+ç»§çμå ̈DC-DC-WANDLER 12V 12V 12V 35W
SF400-1F æ³å1/2å©å¥24+ç»§çμå ̈STECKDOSENSOCKEL FÜR EISENBAHNEN - MONTAGEART H
UTS6JC10E6S SOURIAU-SONNENBANK23+è¿æ¥å ̈CONN PLUG FMALE 6P GOLD SLDR CUP
DPX2ME-A106SA106S-34B-0001 ITT22+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL-Steckverbinder
DPX2MEA106PA106P-33B-0401 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Conn Rack und Panel ARINC 404 SKT/SKT (106/106)Signal POS Crimp ST Panel
ACB1/PG-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
ACB1/BK-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
0-1103277-1 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Anschlussgehäuse M 12 POS Crimp ST Kabelhalterung Grau Lose
SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER

Infineonåçäº§åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IDB09E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
IDB06E60 Infineon2010+TO-263600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA;
IDB04E120 Infineon2010+TO-2631200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA;
ILP03N60 INFINEON11+TO-2203A,600V å ̄æ§ç¡
FZ1200R33KL2C INFINEON11+æ ̈¡å3300V IGBTæ ̈¡å,
IKW75N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW30N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW20N60T INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW40N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW25N120T2 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW25T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW15T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
IKW08T120 INFINEON11+TO-247æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164KN-24F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164KN-16F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164KM-72F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164KM-48F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164HN-24F80L INFINEON11+LQFP-100æ'æμäºæç®¡
SAK-XE164HN-16F80L INFINEON10+LQFP-100Schalt- und Gleichrichterdioden; Gehäuse: PG-LQFP-100; Maximale Taktfrequenz: 80,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 18.0 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D-Eingangsleitungen (
SAK-XE164HM-72F80L INFINEON10+LQFP-100Integrierte Leistungsstufen; Gehäuse: PG-LQFP-100; Maximale Taktfrequenz: 80,0 MHz; SRAM (inkl. Cache): 50.0 KByte; CAN-Knoten: 0; A / D Eingangsleitungen (inkl. F

åç±»æ£ç'¢