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IDB18E120
| Infineon | 2010+ | SOT263 | 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
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IDB15E60
| Infineon | 2010+ | P-TO220-3-4 | 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
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IDB12E120
| Infineon | 2010+ | P-TO220-3-4 | 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
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IDB09E60
| Infineon | 2010+ | TO-263 | 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
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IDB09E120
| Infineon | 2010+ | TO-263 | 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
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IDB04E120
| Infineon | 2010+ | TO-263 | 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
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ID82C52
| INTERSIL | 2010+ | CDIP-28 | CMOSä ̧²è¡æ§å¶å ̈æ¥å£ CMOS Serial Controller Interface |
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ICL7667MJA/883B
| INTERSIL | 2010+ | DIP-8 | åçμæºMOSFET驱å ̈å ̈ Dual Power MOSFET-Treiber |
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HVB387BWKTR
| æ¥ç« | 2010+ | SOT-23 | å容äºæ管çåæ§æ ̄è¡å ̈ Diode mit variabler Kapazität für VCO |
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HSMP-3864-TR
| AGILENT | 2010+ | SOT-23 | è¡ ̈é¢è''è£ PINäºæ管 Oberflächenmontierbare PIN-Dioden |