| éæ© | ç1/4©ç¥å3/4 | ç1/4å· | å¶é å | æ¹å· | è ̄'æ | èμæ | åºå | è ̄¢ä»· |
|---|
|
 |
IDP45E120 |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 |
 |
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP23E60 |
INFINEON |
10+ |
å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP18E120 |
INFINEON |
10+ |
1200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP15E60 |
INFINEON |
10+ |
600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP12E120 |
INFINEON |
10+ |
1200Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP09E60 |
INFINEON |
10+ |
600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP09E120 |
INFINEON |
10+ |
1200Våçäºæ管 1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 23,0 A; IF,SM (max): 50,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP06E60 |
INFINEON |
10+ |
600Våçäºæ管 600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDP04E120 |
INFINEON |
10+ |
èç¹åºäºæ管1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO220-2; WENN (typ): 4,0 A; ZF (max): 11,2 A; IF,SM (max): 28,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDD23E60 |
INFINEON |
10+ |
èç¹åºäºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDD15E60 |
INFINEON |
10+ |
èç¹åºäºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDD09E60 |
INFINEON |
2010+ |
å¿«æ¢å¤äºæ管600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 9,0 A; WENN (max): 19,3 A; IF,SM (max): 40,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDD06E60 |
INFINEON |
2010+ |
600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 6,0 A; WENN (max): 14,7 A; IF,SM (max): 29,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDD03E60 |
INFINEON |
2010+ |
600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO252-3; WENN (typ): 3,0 A; WENN (max): 7,3 A; IF,SM (max): 16,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDB45E60 |
INFINEON |
2010+ |
600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 45,0 A; WENN (max): 71,0 A; IF,SM (max): 162,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDB30E60 |
INFINEON |
2010+ |
600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 30,0 A; WENN (max): 52,3 A; IF,SM (max): 117,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDB23E60 |
Infineon |
2010+ |
600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: P-TO263-3; WENN (typ): 23,0 A; WENN (max): 41,0 A; IF,SM (max): 89,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDB18E120 |
Infineon |
2010+ |
1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 18,0 A; WENN (max): 31,0 A; IF,SM (max): 78,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDB15E60 |
Infineon |
2010+ |
600V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 15,0 A; WENN (max): 29,2 A; IF,SM (max): 60,0 A; VF (typ): 1,5 V; IR (max): 50,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IDB12E120 |
Infineon |
2010+ |
1200V Silizium-Leistungsdioden; Gehäuse: PG-TO263-3; WENN (typ): 12,0 A; WENN (max): 28,0 A; IF,SM (max): 63,0 A; VF (typ): 1,65 V; IR (max): 100,0 μA; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
